Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur

SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	345 066 En stock	1 : 0,12000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03208 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	300mA	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	40pF à 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	117 088 En stock	1 : 0,19000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05034 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	230mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	70 669 En stock	1 : 0,20000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,05025 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohms à 800mA, 4,5V, 390mohms à 800mA, 4,5V	1V à 1mA	1nC à 10V	55pF à 10V, 100pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2 098 En stock	1 : 0,20000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04948 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	320mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,4V à 250µA	0,8nC à 4,5V	50pF à 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	190 573 En stock	1 : 0,21000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05356 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 1mA	-	12pF à 10V	300mW	150°C	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Nexperia USA Inc.	37 345 En stock	1 : 0,21000 € Bande coupée (CT) 5 000 : 0,05028 € Bande et bobine 1 : 0,24000 € Bande coupée (CT)	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Bande coupée (CT) Digi-Reel® Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	600mA	620mohms à 600mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,7nC à 4,5V	21,3pF à 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-XFDFN plot exposé	DFN1010B-6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	4 761 En stock	1 : 0,21000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05771 € Bande et bobine	448	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N44FE,LM MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	140 641 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,05640 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	100mA	4ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	-	8,5pF à 3V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	48 979 En stock 1 602 000 Usine	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06363 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,07A, 845mA	450mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	743 474 En stock	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05553 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	335 882 En stock	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07067 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	164 295 En stock	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,06237 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	100 345 En stock 3 012 000 Usine	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06929 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohms à 3,1 A, 10V	2,3V à 250µA	13nC à 10V	400pF à 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	6 247 En stock 2 514 000 Usine	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07014 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohms à 3,4A, 10V	1,5V à 250µA	12,3nC à 10V	422pF à 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	130 063 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07666 € Bande et bobine	448	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
PMGD290XN,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	68 880 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07754 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	860mA	350mohms à 200mA, 4,5V	1,5V à 250µA	0,72nC à 4,5V	34pF à 20V	410mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563 onsemi	455 532 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07745 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	94 203 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08095 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	115mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	28 803 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08075 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	630mA	375mohms à 630mA, 4,5V	1,5V à 250µA	3nC à 4,5V	46pF à 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	12 395 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07651 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mohms à 500mA, 4,5V, 300mohms à 400mA, 4,5V	1V à 1mA	2nC à 4,5V, 1,76nC à 4,5V	90pF à 10V, 110pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	37 586 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08177 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	400mA, 200mA	700mohms à 200mA, 10V	1,8V à 100µA	-	20pF à 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	35 474 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08284 € Bande et bobine	448	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	950mA	350mohms à 950mA, 4,5V	1,2V à 1,6µA	0,32nC à 4,5V	63pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	76 474 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,08278 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	800mA	380mohms à 500mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,68nC à 4,5V	83pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 onsemi	55 332 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,08185 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	-	20V	430mA	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	175pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	15 332 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08795 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	610mA (Ta)	396mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	2nC à 8V	43pF à 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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