SOT-23-3 broches plates FET, MOSFET simples

Résultats : 53
Fabricant
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageUMW
Série
-*U-MOSIIIU-MOSIVU-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVII-HU-MOSVIII-Hπ-MOSV
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineDigi-Reel®En vrac
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéObsolète
Type de FET
Canal NCanal P
Tension drain-source (Vdss)
12 V20 V30 V38 V40 V60 V100 V200 V450 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
137mA (Ta)650mA (Ta)2 A (Ta)2,3 A (Ta)2,4 A (Ta)2,5 A (Ta)3 A (Ta)3,2 A (Ta)3,5 A (Ta)3,6 A (Ta)3,9 A (Ta)4 A (Ta)6 A (Ta)-
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,5V, 4,5V1,8V, 10V1,8V, 4,5V1,8V, 4V1,8V, 8V2,5V, 4,5V2,5V, 5V3V, 5V3,3V, 10V4V, 10V4,5V, 10V10V-
Rds On (max.) à Id, Vgs
17,6mohms à 6A, 8V22,1mohms à 6A, 8V28mohms à 5A, 10V29,8mohms à 3A, 4,5V30,1mohms à 4A, 4,5V33mohms à 4A, 4,5V36mohms à 5A, 10V38mohms à 4A, 10V40mohms à 1,8A, 4,5V42mohms à 5A, 10V45mohms à 4A, 10V50mohms à 1,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 1mA1,2V à 1mA1,2V à 250µA1,4V à 250µA1,7V à 1mA2V à 100µA2V à 1mA2,2V à 250µA2,4V à 1mA2,5V à 100µA2,8V à 1mA3,5V à 250µA-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1.1 nC @ 4.2 V1.5 nC @ 4 V1.5 nC @ 5 V1.7 nC @ 4.5 V2 nC @ 4 V2.2 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 10 V2.7 nC @ 4.5 V3 nC @ 10 V3.2 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+6V, -12V+6V, -8V±8V+10V, -20V±10V+12V, -6V+12V, -8V±12V12V+20V, -25V±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
60 pF @ 12 V86 pF @ 10 V100 pF @ 25 V120 pF @ 10 V123 pF @ 15 V126 pF @ 15 V130 pF @ 10 V150 pF @ 10 V153 pF @ 10 V190 pF @ 30 V200 pF @ 10 V235 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)1W (Ta)1,2W (Ta)1,5W (Ta)2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C-
Boîtier fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)SOT-23F
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
53Résultats
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Affichage de
sur 53
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
100 288
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07163 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
34 448
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07016 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
1,8V, 4,5V
56mohms à 2 A, 4,5V
1V à 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V, -8V
200 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
138 063
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
71mohms à 3A, 10V
2V à 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
59 117
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
1,8V, 10V
42mohms à 5A, 10V
1,2V à 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
485 983
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08453 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
3 628
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08453 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2 A (Ta)
4V, 10V
300mohms à 1A, 10V
2V à 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
21 548
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09429 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
22,1mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
305 080
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10114 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Ta)
1,8V, 8V
17,6mohms à 6A, 8V
1V à 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
36 467
En stock
1 : 0,66000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15327 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2 A (Ta)
3,3V, 10V
300mohms à 1A, 10V
2V à 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
57 150
En stock
1 : 0,70000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16576 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
3,5 A (Ta)
4,5V, 10V
69mohms à 2A, 10V
2,5V à 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1,2W (Ta)
175°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
2 298
En stock
1 : 0,85000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20474 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
3,5 A (Ta)
4V, 10V
134mohms à 1A, 10V
2V à 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V, -20V
660 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
2 114
En stock
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06721 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,9 A (Ta)
1,5V, 4,5V
93mohms à 1,5A, 4,5V
1V à 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V, -8V
290 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
12 918
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07163 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
71mohms à 3A, 10V
2V à 100µA
5.9 nC @ 10 V
+10V, -20V
280 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
73 224
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
2 A (Ta)
1,8V, 8V
185mohms à 1A, 8V
1,2V à 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
12 228
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4 A (Ta)
1,5V, 4,5V
55mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
2 396
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07308 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
1,8V, 4,5V
55mohms à 4A, 4,5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
18 720
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07598 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
45mohms à 4A, 10V
2,2V à 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
+20V, -25V
492 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
7 273
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08028 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,5V, 4,5V
29,8mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V, -8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
21 682
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08594 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Ta)
1,8V, 4,5V
30,1mohms à 4A, 4,5V
1V à 1mA
16.6 nC @ 4.5 V
±10V
1030 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
9 360
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08734 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4 A (Ta)
1,5V, 4,5V
33mohms à 4A, 4,5V
1V à 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
8 164
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08734 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3 A (Ta)
4,5V, 10V
95mohms à 2A, 10V
2,5V à 100µA
1.7 nC @ 4.5 V
±20V
126 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
24 369
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09014 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3 A (Ta)
1,5V, 4,5V
71mohms à 3A, 4,5V
1V à 1mA
2 nC @ 4 V
±8V
153 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
46 169
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09153 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
6 A (Ta)
4,5V, 10V
28mohms à 5A, 10V
2,5V à 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
23 845
En stock
1 : 0,49000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10789 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
650mA (Ta)
3V, 5V
1,8ohms à 150mA, 5V
2V à 1mA
1.5 nC @ 5 V
±12V
60 pF @ 12 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
SSM3K376R,LXHF
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Toshiba Semiconductor and Storage
8 216
En stock
1 : 0,49000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10789 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
4 A (Ta)
1,8V, 4,5V
56mohms à 2 A, 4,5V
1V à 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V, -8V
200 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23F
SOT-23-3 broches plates
Affichage de
sur 53

SOT-23-3 broches plates FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.