HY Electronic (Cayman) Limited FET, MOSFET simples

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Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
H17C325V0
2N7002K
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
HY Electronic (Cayman) Limited
35
Marketplace
20 : 0,05650 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
-
5
Marketplace
1 : 1,14000 €
Bande et bobine
*
Bande et bobine
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
Marketplace
3 : 1,14333 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
45 A (Ta)
4,5V, 10V
6,5mohms à 20A, 10V
1,6V à 250µA
25.2 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
25W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-PDFN (3x3)
8-PowerVDFN
5
Marketplace
1 : 1,33000 €
Conditionnement au détail
-
Conditionnement au détail
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
12 A (Ta)
10V
850mohms à 6A, 10V
4V à 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1900 pF @ 25 V
-
51W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
ITO-220AB
TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
5
Marketplace
2 : 1,71500 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
13,5 A (Ta)
4,5V, 10V
8,3mohms à 13,5A, 10V
2,3V à 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 50 V
-
3,1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
5
Marketplace
1 : 2,76000 €
Conditionnement au détail
-
Conditionnement au détail
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
11 A (Tc)
10V
360mohms à 5,5A, 10V
4,5V à 250µA
19.7 nC @ 10 V
±30V
821 pF @ 100 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
ITO-220AB
TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Affichage de
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HY Electronic (Cayman) Limited FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.