HY Electronic (Cayman) Limited FET, MOSFET simples
Référence fabricant | Quantité disponible | Prix | Série | Conditionnement | Statut du produit | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | Rds On (max.) à Id, Vgs | Vgs(th) (max.) à Id | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | Vgs (max.) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | Fonction FET | Dissipation de puissance (max.) | Température de fonctionnement | Grade | Qualification | Type de montage | Boîtier fournisseur | Boîtier | |
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35 Marketplace | 20 : 0,05650 € Bande et bobine | Bande et bobine | Actif | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 60 V | 340mA (Ta) | 4,5V, 10V | 5ohms à 500mA, 10V | 2,5V à 1mA | - | ±20V | 40 pF @ 10 V | - | 350mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Montage en surface | SOT-23 | - | |||
5 Marketplace | 1 : 1,14000 € Bande et bobine | * | Bande et bobine | Actif | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
5 Marketplace | 3 : 1,14333 € Bande et bobine | - | Bande et bobine | Actif | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 30 V | 45 A (Ta) | 4,5V, 10V | 6,5mohms à 20A, 10V | 1,6V à 250µA | 25.2 nC @ 10 V | ±20V | 1230 pF @ 15 V | - | 25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Montage en surface | 8-PDFN (3x3) | 8-PowerVDFN | ||
5 Marketplace | 1 : 1,33000 € Conditionnement au détail | - | Conditionnement au détail | Actif | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 650 V | 12 A (Ta) | 10V | 850mohms à 6A, 10V | 4V à 250µA | 54 nC @ 10 V | ±30V | 1900 pF @ 25 V | - | 51W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Trou traversant | ITO-220AB | TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée | ||
5 Marketplace | 2 : 1,71500 € Bande et bobine | - | Bande et bobine | Actif | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 100 V | 13,5 A (Ta) | 4,5V, 10V | 8,3mohms à 13,5A, 10V | 2,3V à 250µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 3130 pF @ 50 V | - | 3,1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Montage en surface | 8-SOP | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | ||
5 Marketplace | 1 : 2,76000 € Conditionnement au détail | - | Conditionnement au détail | Actif | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 650 V | 11 A (Tc) | 10V | 360mohms à 5,5A, 10V | 4,5V à 250µA | 19.7 nC @ 10 V | ±30V | 821 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Trou traversant | ITO-220AB | TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée |