Good-Ark Semiconductor FET, MOSFET simples

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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
GSFC0601
GSFC0500
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Good-Ark Semiconductor
11 429
En stock
1 : 0,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02960 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
300mA (Ta)
3,3V, 10V
4ohms à 300mA, 10V
1,5V à 250µA
0.58 nC @ 4.5 V
±20V
12 pF @ 30 V
-
300mW (Ta)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFC0601
GS2N7002KL
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V
Good-Ark Semiconductor
5 294
En stock
1 : 0,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02575 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 300mA, 10V
2,4V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
16.4 pF @ 30 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFC0601
GSFC0201
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Good-Ark Semiconductor
3 393
En stock
1 : 0,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02477 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
700mA (Ta)
1,8V, 4,5V
230mohms à 550mA, 4,5V
1V à 250µA
1.1 nC @ 10 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFAT0600
GSFAT0600
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 60V
Good-Ark Semiconductor
15 059
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,02997 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523
SOT-523
GSFF3134
GSFF3134
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Good-Ark Semiconductor
15 227
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,02836 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
750mA (Ta)
1,8V, 4,5V
380mohms à 650mA, 4,5V
1,1V à 250µA
-
±12V
120 pF @ 16 V
-
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-723
SOT-723
GSFW0201
GSFW0201
MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -20V,
Good-Ark Semiconductor
19 816
En stock
10 000 : 0,02018 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
130mohms à 1A, 4,5V
850mV à 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±10V
220 pF @ 10 V
-
760mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-883
SC-101, SOT-883
GSFKW0202
BSS84
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
23 184
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02751 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V, 10V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFCR2303
GSFCR2303
MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Good-Ark Semiconductor
9 446
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04081 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
119mohms à 2A, 4,5V
1V à 250µA
5.4 nC @ 10 V
±8V
438 pF @ 10 V
-
450mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
GSFW3004
GSFW3004
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Good-Ark Semiconductor
6 000
En stock
3 000 : 0,04392 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
400mA (Tc)
2,5V, 4,5V
560mohms à 200mA, 4,5V
1,2V à 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
72.9 pF @ 15 V
-
155mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-883
SC-101, SOT-883
BAT54
2N7002K
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Good-Ark Semiconductor
44 179
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02549 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
10V, 5V
-
2,5V à 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFC0601
GSFC3415C
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Good-Ark Semiconductor
10 323
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04562 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4 A (Ta)
2,5V, 4,5V
45mohms à 4A, 4,5V
0,9V à 250µA  
12 nC @ 4.5 V
±10V
950 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BZX84B4V3
GSFC4050
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Good-Ark Semiconductor
7 363
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04562 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
5 A (Tc)
4,5V, 10V
50mohms à 4A, 10V
2,9V à 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
1,4W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFC0601
GSFC2312
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Good-Ark Semiconductor
5 840
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04562 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6,8 A (Ta)
2,5V, 4,5V
21mohms à 6,8A, 4,5V
1V à 250µA
12.8 nC @ 4.5 V
±10V
885 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSF2319GE
SSF2319GE
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.40A, -2
Good-Ark Semiconductor
15 960
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,04059 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
400mA (Tc)
1,2V, 4,5V
600mohms à 300mA, 4,5V
1V à 250µA
1 nC @ 4.5 V
±8V
40 pF @ 10 V
-
275mW
-55°C ~ 150°C
-
-
Montage en surface
SOT-723
SOT-723
BSS123
BSS123
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Good-Ark Semiconductor
15 240
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03295 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
190mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 150mA, 10V
3V à 250µA
0.74 nC @ 10 V
±20V
31.6 pF @ 50 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSBAT54AT
GSF7002AT
MOSFET, N-CH, SINGLE ,115MA, 60V
Good-Ark Semiconductor
5 990
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03408 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523
SOT-523
BAS40-05
GSF3404
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Good-Ark Semiconductor
5 405
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04898 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5,8 A (Ta)
4,5V, 10V
31mohms à 5A, 10V
2,5V à 250µA
5.2 nC @ 10 V
±20V
255 pF @ 15 V
-
1,4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFKW0202
GSFC02501
MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Good-Ark Semiconductor
4 256
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
-
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
850mA (Ta)
1,8V, 4,5V
640mohms à 550mA, 4,5V
1V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
58 pF @ 10 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
GSFW0202
GSFW0501
MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Good-Ark Semiconductor
19 995
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,02923 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V, 10V
6ohms à 130mA, 10V
3V à 250µA
-
±20V
32 pF @ 20 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-883
SC-101, SOT-883
BAT54
SSF6007
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
11 939
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03483 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Tc)
10V
7ohms à 130mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
230mW (Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFC1208
BSS84AKW
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60
Good-Ark Semiconductor
8 729
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02910 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
4ohms à 300mA, 10V
2V à 250µA
-
±20V
41 pF @ 25 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
BAT54
BSS138
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Good-Ark Semiconductor
44 878
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03104 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFW0202
GSFW02009
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Good-Ark Semiconductor
17 396
En stock
1 : 0,21000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03077 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
850mA (Ta)
1,8V, 4,5V
640mohms à 550mA, 4,5V
1V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±12V
58 pF @ 10 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-883
SC-101, SOT-883
GSFW0202
GSFW0202
MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
17 320
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03229 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1,4 A (Ta)
1,8V, 4,5V
230mohms à 550mA, 4,5V
1V à 250µA
2 nC @ 4.5 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-883
SC-101, SOT-883
SSF2307
SSF2307
MOSFET, P-CH, SINGLE, -6.50A, -2
Good-Ark Semiconductor
8 576
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05714 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6,5 A (Tc)
1,8V, 4,5V
23mohms à 5A, 4,5V
1V à 250µA
29 nC @ 4.5 V
±10V
2430 pF @ 15 V
-
1,56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6L
SOT-23-6
Affichage de
sur 302

Good-Ark Semiconductor FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.