70A (Tj) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
IPT60R037CM8XTMA1 IPT60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies	1 662 En stock	1 : 6,24000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 2,90577 € Bande et bobine	CoolMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	70A (Tj)	10V	37mohms à 27A, 10V	4,7V à 680µA	79 nC @ 10 V	±20V	3458 pF @ 400 V	-	390W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IPP60R037CM8XKSA1 IPP60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies	252 En stock	1 : 6,15000 € Tube	CoolMOS™	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	70A (Tj)	10V	37mohms à 27A, 10V	4,7V à 680µA	79 nC @ 10 V	±20V	3458 pF @ 400 V	-	390W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	PG-TO220-3-1	TO-220-3
SSFD6017 MOSFET, P-CH, SINGLE, -70.00A, - Good-Ark Semiconductor	4 355 En stock	1 : 1,24000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,31115 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT)	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	70A (Tj)	10V	17mohms à 23A, 10V	3V à 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	4802 pF @ 25 V	-	170W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
S2M0025120J MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	46 En stock	1 : 23,23000 € Tube	-	Tube	Actif	Canal N	SiCFET (carbure de silicium)	1200 V	70A (Tj)	20V	34mohms à 50A, 20V	4V à 15mA	177 nC @ 20 V	+25V, -10V	4150 pF @ 1000 V	-	311W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA

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Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.