53 A (Tc) FET, MOSFET simples

Résultats : 50
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
50Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer

Affichage de
sur 50
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-263 (D2PAK)
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
STMicroelectronics
1 892
En stock
1 : 7,61000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 3,24877 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
300 V
53 A (Tc)
10V
40mohms à 26,5A, 10V
5V à 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
IHW15N120R3FKSA1
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Infineon Technologies
480
En stock
1 : 8,80000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
53 A (Tc)
10V
70mohms à 25,8A, 10V
3,5V à 1,72mA
170 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 100 V
-
391W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-263 (D2PAK)
STB46N30M5
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
STMicroelectronics
1 415
En stock
1 : 9,77000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 4,52021 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
300 V
53 A (Tc)
10V
40mohms à 26,5A, 10V
5V à 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
UJ4SC075006K4S
UF4SC120023K4S
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
onsemi
1 438
En stock
1 : 19,20000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (cascode SiCJFET)
1200 V
53 A (Tc)
12V
29mohms à 40A, 12V
6V à 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1430 pF @ 800 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4
TO-247-4
ISOTOP
STE53NC50
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
STMicroelectronics
215
En stock
1 : 40,13000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
53 A (Tc)
10V
80mohms à 27A, 10V
4V à 250µA
434 nC @ 10 V
±30V
11200 pF @ 25 V
-
460W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage sur châssis
ISOTOP®
ISOTOP
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Littelfuse Inc.
371
En stock
1 : 43,24000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
800 V
53 A (Tc)
10V
140mohms à 30A, 10V
5V à 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
1040W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage sur châssis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227-4, miniBLOC
IXTN60N50L2
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Littelfuse Inc.
740
En stock
1 : 47,03000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
53 A (Tc)
10V
100mohms à 30A, 10V
4,5V à 250µA
610 nC @ 10 V
±30V
24000 pF @ 25 V
-
735W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage sur châssis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
PSMNR82-30YLEX
PSMN013-60YLX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7 563
En stock
1 : 1,24000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,34519 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
5V, 10V
13mohms à 15A, 10V
2,1V à 1mA
33.2 nC @ 10 V
±20V
2603 pF @ 25 V
-
95W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
8-PowerTDFN
MCAC53N06Y-TP
MOSFET N-CH 60 53A DFN5060
Micro Commercial Co
4 710
En stock
1 : 1,32000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,32412 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
4,5V, 10V
8,2mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1988 pF @ 30 V
-
70W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DFN5060
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRFZ46NPBF
MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Infineon Technologies
23 230
En stock
1 : 1,42000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
53 A (Tc)
10V
16,5mohms à 28A, 10V
4V à 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1696 pF @ 25 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220AB
TO-220-3
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y15-60E,115
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3 765
En stock
1 : 1,56000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,45133 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
5V
13mohms à 15A, 10V
2,1V à 1mA
17.2 nC @ 5 V
±10V
2603 pF @ 25 V
-
95W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
UJ4SC075006K4S
UF4SC120030K4S
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
onsemi
1 182
En stock
1 : 15,50000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (cascode SiCJFET)
1200 V
53 A (Tc)
12V
39mohms à 20A, 12V
6V à 10mA
37.8 nC @ 800 V
±20V
1450 pF @ 15 V
-
341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4
TO-247-4
BUK7M6R7-40HX
BUK9M11-40EX
MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2 974
En stock
1 : 1,19000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,32937 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
53 A (Tc)
5V, 10V
9mohms à 15A, 10V
2,1V à 1mA
13.4 nC @ 5 V
±10V
1721 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-sorties)
BUK7M6R7-40HX
PSMN012-60MSX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
5 990
En stock
1 : 1,16000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,31960 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
10V
12mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
24.8 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-sorties)
BUK7M6R7-40HX
BUK7M12-60EX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2 807
En stock
1 : 1,42000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,40448 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
10V
12mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
24.8 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-sorties)
TO-247AD
PJMH074N60FRC_T0_00601
600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Panjit International Inc.
2 984
En stock
1 : 8,90000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
53 A (Tc)
10V
74mohms à 26,5A, 10V
4,5V à 250µA
84 nC @ 10 V
±30V
3871 pF @ 400 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AD
TO-247-3
PG-TO247-4-3
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
143
En stock
1 : 12,14000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
650 V
53 A (Tc)
18V
42mohms à 29,5A, 18V
5,7V à 8,8mA
48 nC @ 18 V
+20V, -2V
1643 pF @ 400 V
-
197W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO247-4-3
TO-247-4
PSMNR82-30YLEX
BUK7Y15-60EX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
164
En stock
1 : 1,44000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 0,41125 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
10V
15mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
24.5 nC @ 10 V
±20V
1838 pF @ 25 V
-
94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
369
En stock
1 : 10,73000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
650 V
53 A (Tc)
15V, 20V
30mohms à 27,9A, 20V
5,6V à 5,7mA
34 nC @ 18 V
+23V, -7V
1214 pF @ 400 V
-
194W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO247-3-40
TO-247-3
TO-220AB-3,SOT78
BUK9523-75A,127
MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB
NXP USA Inc.
0
En stock
4 332
Marketplace
5 000 : 0,50583 €
Tube
579 : 0,49889 €
En vrac
En vrac
Tube
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
75 V
53 A (Tc)
4,5V, 10V
22mohms à 25A, 10V
2V à 1mA
-
±10V
3120 pF @ 25 V
-
138W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Trou traversant
TO-220AB
TO-220-3
APT2X60D60J
APT40M70JVR
MOSFET N-CH 400V 53A SOT227
Microchip Technology
40
En stock
1 : 42,17000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
400 V
53 A (Tc)
10V
70mohms à 26,5A, 10V
4V à 2,5mA
495 nC @ 10 V
±30V
8890 pF @ 25 V
-
450W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage sur châssis
SOT-227 (ISOTOP®)
SOT-227-4, miniBLOC
UJ4SC075005L8S
UJ4SC075018L8S
SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Qorvo
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 15,69000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 9,72592 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
SiCFET (cascode SiCJFET)
750 V
53 A (Tc)
12V
23mohms à 50A, 12V
6V à 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
349W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TOLL
8-PowerSFN
APT2X60D60J
MSC040SMA120J
SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Microchip Technology
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 39,09000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
53 A (Tc)
20V
50mohms à 40A, 20V
2,8V à 1mA
137 nC @ 20 V
+25V, -10V
1990 pF @ 1000 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage sur châssis
SOT-227 (ISOTOP®)
SOT-227-4, miniBLOC
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 11,07000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
650 V
53 A (Tc)
15V, 20V
30mohms à 27,9A, 20V
5,6V à 5,7mA
34 nC @ 18 V
+23V, -7V
1214 pF @ 400 V
-
194W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO247-4-8
TO-247-4
8-PowerTDFN
MCAC53N06YHE3-TP
MOSFET N-CH 60 53A DFN5060
Micro Commercial Co
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
5 000 : 0,33219 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
53 A (Tc)
4,5V, 10V
7,5mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
69W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
DFN5060
8-PowerTDFN
Affichage de
sur 50

53 A (Tc) FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.