340mA (Ta) FET, MOSFET simples

Résultats : 17
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
17Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer
Affichage de
sur 17
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
57 792
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03987 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
330mW
-55°C ~ 150°C
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
17 479
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03501 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
17 780
En stock
489 000
Usine
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03695 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
1,8V, 4,5V
2ohms à 100mA, 4,5V
1V à 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN62D0UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
23 810
En stock
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,05349 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
1,8V, 4,5V
2ohms à 100mA, 4,5V
1V à 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN62D0UW-13
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
17 070
En stock
140 000
Usine
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03695 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
1,8V, 4,5V
2ohms à 100mA, 4,5V
1V à 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
DFN1110D-3
BSS138AKQB-QZ
BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Nexperia USA Inc.
4 880
En stock
1 : 0,45000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,07488 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohms à 100mA, 10V
1,5V à 250µA
315 pC @ 10 V
±20V
9 pF @ 30 V
-
490mW (Ta), 6,9W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface, joints de brasure visibles
DFN1110D-3
3-XDFN plot exposé
GSFC0601
GS2N7002KL
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V
Good-Ark Semiconductor
5 274
En stock
1 : 0,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02565 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 300mA, 10V
2,4V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
16.4 pF @ 30 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002E
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
73 344
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02447 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 300mA, 10V
2,5V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KW
2N7002KW
60V 340MA 5@10V,500MA 200MW 2.5V
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
2 900
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
-
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
GSFC1208
GS2N7002KW
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V
Good-Ark Semiconductor
10 830
En stock
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04150 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 300mA, 10V
2,5V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN62D0UWQ-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
1 106
En stock
1 533 000
Usine
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06634 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
1,8V, 4,5V
2ohms à 100mA, 4,5V
1V à 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
10 000 : 0,03286 €
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 300mA, 10V
2,5V à 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
35 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UW-13
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
10 000 : 0,03801 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
1,8V, 5V
2ohms à 50mA, 5V
1V à 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN61D9UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
3 000 : 0,04484 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
1,8V, 5V
2ohms à 50mA, 5V
1V à 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
H17C325V0
2N7002K
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
HY Electronic (Cayman) Limited
35
Marketplace
20 : 0,05650 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
-
BZX84-C12/LF1R
2N7002K,215
MOSFET N-CH 60V 340MA TO236AB
NXP USA Inc.
0
En stock
Obsolète
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 500mA, 10V
2V à 1mA
-
±15V
40 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23 (TO-236AB)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
En stock
Actif
-
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 300mA, 10V
2,5V à 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
35 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 17

340mA (Ta) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.