FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
DPAK
STD18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
STMicroelectronics
4 399
En stock
1 : 3,22000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,22398 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mohms à 7,5A, 10V
5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STMicroelectronics
3 572
En stock
1 : 3,72000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,27994 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
550 V
16 A (Tc)
10V
192mohms à 8A, 10V
5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1260 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-247-3
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STMicroelectronics
2 223
En stock
1 : 6,48000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
TO-263 (D2PAK)
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STMicroelectronics
3 682
En stock
1 : 8,16000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 3,68155 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
1 640
En stock
1 : 8,51000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
TO-263 (D2PAK)
STB46N30M5
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
STMicroelectronics
1 365
En stock
1 : 9,68000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 4,49194 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
300 V
53 A (Tc)
10V
40mohms à 26,5A, 10V
5V à 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW88N65M5
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
STMicroelectronics
508
En stock
1 : 10,72000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
84 A (Tc)
10V
29mohms à 42A, 10V
5V à 250µA
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
-
450W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
TO-263 (D2PAK)
STB57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
9 636
En stock
1 : 10,85000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 5,19900 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
42 A (Tc)
10V
63mohms à 21A, 10V
5V à 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-247-3
STW62N65M5
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
STMicroelectronics
530
En stock
1 : 13,35000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
46 A (Tc)
10V
49mohms à 23A, 10V
5V à 250µA
142 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
330W (Tc)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 Max EP
STY145N65M5
MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
STMicroelectronics
836
En stock
1 : 34,91000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
138 A (Tc)
10V
15mohms à 69A, 10V
5V à 250µA
414 nC @ 10 V
±25V
18500 pF @ 100 V
-
625W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
MAX247™
TO-247-3
DPAK
STD11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
STMicroelectronics
3 779
En stock
1 : 2,46000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,73616 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
9 A (Tc)
10V
480mohms à 4,5A, 10V
5V à 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
620 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-263 (D2PAK)
STB18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
STMicroelectronics
1 870
En stock
1 : 2,97000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,28003 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mohms à 7,5A, 10V
5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
DPAK
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7 773
En stock
1 : 3,23000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,25923 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
12 A (Tc)
10V
299mohms à 6A, 10V
5V à 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
8PowerVDFN
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STMicroelectronics
15 138
En stock
1 : 3,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,31784 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
15 A (Tc)
10V
240mohms à 7,5A, 10V
5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
D²PAK
STB21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
STMicroelectronics
4 751
En stock
1 : 4,56000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 2,09081 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
17 A (Tc)
10V
190mohms à 8,5A, 10V
5V à 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1950 pF @ 100 V
-
125W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D²PAK
STB80N20M5
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
STMicroelectronics
631
En stock
1 : 6,12000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 2,65641 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
61 A (Tc)
10V
23mohms à 30,5A, 10V
5V à 250µA
104 nC @ 10 V
±25V
4329 pF @ 50 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220-3
STP30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
STMicroelectronics
2 716
En stock
1 : 6,40000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
22 A (Tc)
10V
139mohms à 11A, 10V
5V à 250µA
64 nC @ 10 V
±25V
2880 pF @ 100 V
-
140W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
TO-220FP
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
1 042
En stock
1 : 8,20000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FP
Boîtier complet TO-220-3
TO-220-3
STP42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
STMicroelectronics
251
En stock
1 : 10,20000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
33 A (Tc)
10V
79mohms à 16,5A, 10V
5V à 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4650 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
TO-247-3
STW77N65M5
MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
STMicroelectronics
637
En stock
1 : 14,20000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
69 A (Tc)
10V
38mohms à 34,5A, 10V
5V à 250µA
200 nC @ 10 V
25V
9800 pF @ 100 V
-
400W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
DPAK
STD8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STMicroelectronics
4 323
En stock
1 : 2,23000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,01287 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
7 A (Tc)
10V
600mohms à 3,5A, 10V
5V à 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
690 pF @ 100 V
-
70W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-220-3
STP18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
STMicroelectronics
882
En stock
1 : 2,40000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mohms à 7,5A, 10V
5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
TO-220FP
STF20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
STMicroelectronics
2 167
En stock
1 : 2,84000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
18 A (Tc)
10V
190mohms à 9A, 10V
5V à 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1345 pF @ 100 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FP
Boîtier complet TO-220-3
TO-263 (D2PAK)
STB11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
STMicroelectronics
2 836
En stock
1 : 2,92000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,95983 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
9 A (Tc)
10V
480mohms à 4,5A, 10V
5V à 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
644 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220-3
STP18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
STMicroelectronics
844
En stock
1 : 3,15000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
550 V
16 A (Tc)
10V
192mohms à 8A, 10V
5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1260 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
Affichage de
sur 136

FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.