FET, MOSFET simples

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	Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
	RUM001L02T2CL MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	637 273 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,04030 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,5ohms à 100mA, 4,5V	1V à 100µA	-	±8V	7.1 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montage en surface	VMT3	SOT-723
	NDT3055L MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 onsemi	16 320 En stock 40 000 Usine	1 : 1,46000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,37601 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	4 A (Ta)	4,5V, 10V	100mohms à 4A, 10V	2V à 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	345 pF @ 25 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	Montage en surface	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA

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Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.