FET, MOSFET simples

Résultats : 2
Fabricant
onsemiRohm Semiconductor
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineDigi-Reel®
Tension drain-source (Vdss)
20 V60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100mA (Ta)4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,2V, 4,5V4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 4A, 10V3,5ohms à 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 100µA2V à 250µA
Vgs (max.)
±8V±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7.1 pF @ 10 V345 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 155°C (TJ)150°C (TJ)
Boîtier fournisseur
SOT-223-4VMT3
Boîtier
SOT-723TO-261-4, TO-261AA
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
2Résultats
Affichage de
sur 2
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
637 273
En stock
Ce produit a une limite d'achat maximum
1 : 0,29000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,04030 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
100mA (Ta)
1,2V, 4,5V
3,5ohms à 100mA, 4,5V
1V à 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
Montage en surface
VMT3
SOT-723
FDT86106LZ
NDT3055L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
onsemi
16 320
En stock
44 000
Usine
1 : 1,46000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,37601 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
4 A (Ta)
4,5V, 10V
100mohms à 4A, 10V
2V à 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
3W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
Montage en surface
SOT-223-4
TO-261-4, TO-261AA
Affichage de
sur 2

FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.