FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
14 226
En stock
1 : 0,70000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16561 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta)
4,5V, 10V
17mohms à 11A, 10V
2,3V à 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
43 310
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02329 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 200mA, 10V
2,5V à 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 2

FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.