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FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 122 182
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02431 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
171 937
En stock
36 000
Usine
1 : 0,29000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04960 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
33 311
En stock
1 : 0,45000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11281 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
49 022
En stock
1 : 0,48000 €
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
211 497
En stock
6 153 000
Usine
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02528 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
3ohms à 115mA, 10V
2V à 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC849C
2N7002
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
25 399
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03644 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
67 037
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02237 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC556B
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
100 498
En stock
Actif
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
BSS84
2N7002K
MOSFET SOT-23 N Channel 60V
MDD
120 000
Marketplace
12 000 : 0,04176 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
4,5V, 10V
900mohms à 300mA, 10V
2,5V à 250µA
0.31 nC @ 10 V
±20V
23.8 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K
2N7002K
60V 300MA 350MW 3.5@10V,300MA 3V
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
2 775
En stock
1 : 0,10000 €
Bande coupée (CT)
-
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Tc)
4,5V, 10V
3,5ohms à 300mA, 10V
3V à 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 60 V
-
350mW (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002E
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
73 344
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02447 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
340mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 300mA, 10V
2,5V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
43 660
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02407 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 200mA, 10V
2,5V à 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54
2N7002K
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Good-Ark Semiconductor
43 669
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02539 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
10V, 5V
-
2,5V à 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54
BSS138
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Good-Ark Semiconductor
44 866
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03092 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002
2N7002
S0T-23 MOSFETS ROHS
UMW
1 443
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
79
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02917 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 16

FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.