Transistors - JFET

Résultats : 707
Fabricant
Central Semiconductor CorpInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageUnitedSiC
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Série
-*Automotive, AEC-Q101Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375Military, MIL-PRF-19500/385Military, MIL-PRF-19500/431
Effacer
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
Effacer
Statut de la pièce
ActifEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolète
Effacer
Type de FET
2 canaux N (double)-Canal NCanal P
Effacer
Tension - Claquage (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V650 V1200 V1700 V
Effacer
Tension drain-source (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V1700 V
Effacer
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V2.2 µA @ 1700 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V
Effacer
Drain de courant (Id) - Max.
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA6.8 A26 A32 A
Effacer
Tension - Blocage (VGS off) à Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
Effacer
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
0,7pF à 10V1pF à 10V1,7pF à 10V2,2pF à 15V3pF à 10V3,1pF à 2V3,5pF à 5V3,5pF â 2V4pF à 10V4pF à 15V4,1pF à 5V4,5pF à 15V4,9pF à 5V
Effacer
Résistance - RDS(On)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms500 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms
Effacer
Puissance - Max.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
Effacer
Température de fonctionnement
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 85°C (TA)-20°C ~ 80°C (TA)125°C (TJ)
Effacer
Type de montage
-Montage en surfaceTrou traversant
Effacer
Boîtier
3-SMD, fil plat3-SMD, sans plomb3-SSIP3-XFDFN4-SMD, sans plomb5-SMD, broches plates5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)-A-226-3, A-92-3 boîtier courtBoîtier long TO-226-3, TO-92-3MATRICE
Effacer
Boîtier fournisseur
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
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Options de stockage
Supports
Options environnementales
PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Prix
Stock
Fournisseur
Fabricant
Qté min.
Référence DK
Série
Conditionnement
Statut de la pièce
Type de FET
Tension - Claquage (V(BR)GSS)
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0)
Drain de courant (Id) - Max.
Tension - Blocage (VGS off) à Id
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Résistance - RDS(On)
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
0,55000 €
26 885 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323USM
SOT-23 SERIES
CMPF4393 TR PBFREE
JFET N-CH 40V 50MA SOT23
0,96000 €
8 174 - Immédiatement
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMPF4393TRPBFREETR-ND
1514-CMPF4393TRPBFREECT-ND
1514-CMPF4393TRPBFREEDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF à 20V100 Ohms350 mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
2,77000 €
13 413 - Immédiatement
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
En vrac
ActifCanal N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF à 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-206AA, TO-18-3 boîtier métalliqueTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,37000 €
7 131 - Immédiatement
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
ActifCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,38000 €
18 221 - Immédiatement
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
ActifCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBFU310LT1G
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
0,41000 €
4 837 - Immédiatement
33 000 - Usine
onsemionsemi
1
MMBFU310LT1GOSTR-ND
MMBFU310LT1GOSCT-ND
MMBFU310LT1GOSDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N25 V25 V24 mA @ 10 V-2.5 V @ 1 nA5pF à 10V (VGS)-225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SOT-23-3
2SK208-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V S-MINI
0,46000 €
5 348 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-Y(TE85LF)TR-ND
2SK208-Y(TE85LF)CT-ND
2SK208-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N50 V-1.2 mA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-mini
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
0,39000 €
8 296 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
0,39000 €
4 978 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880GRTE85LF
JFET N-CH 50V 0.1W USM
0,55000 €
3 053 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880GRTE85LFTR-ND
2SK880GRTE85LFCT-ND
2SK880GRTE85LFDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N50 V-2.6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323SC-70
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
0,55000 €
3 715 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
0,55000 €
5 862 - Immédiatement
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF à 5V-400 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-BL(TE85L,F
JFET N-CH 50V SMV
0,63000 €
4 370 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-BL(TE85LFTR-ND
2SK2145-BL(TE85LFCT-ND
2SK2145-BL(TE85LFDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF à 10V-300 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
0,38000 €
1 961 - Immédiatement
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
En vrac
ActifCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,41000 €
7 143 - Immédiatement
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
En vrac
ActifCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
0,42000 €
4 131 - Immédiatement
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
En vrac
ActifCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
0,44000 €
38 473 - Immédiatement
50 000 - Usine
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
En vrac
ActifCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
4,22000 €
2 000 - Immédiatement
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
En vrac
ActifCanal N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF à 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Trou traversantTO-206AA, TO-18-3 boîtier métalliqueTO-18
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
15,68000 €
366 - Immédiatement
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Tube
ActifCanal N650 V650 V-85 A-2360pF à 100V33 mOhms441 W-55°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-247-3TO-247-3
UF3N170400B7S
UF3N170400B7S
JFET 1700V SIC
6,19000 €
1 587 - Immédiatement
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UF3N170400B7STR-ND
2312-UF3N170400B7SCT-ND
2312-UF3N170400B7SDKR-ND
*
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N1700 V1700 V2.2 µA @ 1700 V6.8 A-225pF à 100V500 mOhms68 W-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surfaceTO-263-8, D²Pak (7 broches + languette), TO-263CAD2PAK-7
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
0,36000 €
1 581 - Immédiatement
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
ActifCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
0,40000 €
3 592 - Immédiatement
48 000 - Usine
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
ActifCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
0,41000 €
1 047 - Immédiatement
36 000 - Usine
onsemionsemi
1
J111-D74ZCT-ND
J111-D74ZTB-ND
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
ActifCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
SOT-23-3
2SK208-O(TE85L,F)
JFET N-CH 50V SC59
0,46000 €
2 743 - Immédiatement
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-O(TE85LF)TR-ND
2SK208-O(TE85LF)CT-ND
2SK208-O(TE85LF)DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N50 V-600 µA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SOT-23-3
2SK11030QL
JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
0,48000 €
2 822 - Immédiatement
Panasonic Electronic ComponentsPanasonic Electronic Components
1
Hors stock
2SK11030QLTR-ND
2SK11030QLCT-ND
2SK11030QLDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ObsolèteCanal N--600 µA @ 10 V20 mA1.5 V @ 10 µA7pF à 10V300 Ohms150 mW150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1
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25
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