Transistors - JFET

Résultats : 940
Fabricant
Central Semiconductor CorpFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNXP SemiconductorsNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm Semiconductor
Série
-*174DFN2N43922N43932N5114Automotive, AEC-Q101CoolSiC™J174J175J201J202
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBarrette de connexionBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
Product Status
ActifEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
2 canaux N (double)2 canaux N-Canal NCanal P
Tension - Claquage (V(BR)GSS)
1.2 V1.7 V6.5 V15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V60 V650 V1200 V
Tension drain-source (Vdss)
400 mV600 mV1.2 V1.7 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V60 V650 V
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1.2 V2.2 µA @ 1.7 V3.3 µA @ 1.2 V5 µA @ 1.2 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V100 µA @ 5 V
Drain de courant (Id) - Max.
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA25 mA30 mA50 mA6.8 A26 A32 A
Tension - Blocage (VGS off) à Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA150 mV @ 0.1 µA150 mV @ 1 µA150 mV @ 100 nA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 nA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 0.1 µA
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
0,03pF à 15V0,7pF à 10V0,8pF à 15V1pF à 10V1,7pF à 10V2,2pF à 15V3pF à 10V3,1pF à 2V3,5pF à 5V3,5pF â 2V4pF à 10V4pF à 15V
Résistance - RDS(On)
17 mOhms33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms500 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms
Puissance - Max.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW330 mW
Température de fonctionnement
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TA)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-Montage en surfaceTrou traversant
Boîtier
3-SMD, broches plates3-SMD, sans plomb3-SSIP3-XFDFN4-SMD, sans plomb5-SMD, broches plates5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-VFDFN plot exposé-A-226-3, A-92-3 boîtier court
Boîtier fournisseur
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP
Options de stockage
Options environnementales
Supports
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Prix
Série
Conditionnement
Product Status
Type de FET
Tension - Claquage (V(BR)GSS)
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0)
Drain de courant (Id) - Max.
Tension - Blocage (VGS off) à Id
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Résistance - RDS(On)
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
Toshiba Semiconductor and Storage
2 899
En stock
1 : 0,61000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21396 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323USM
SOT-23-3
CPH3910-TL-E
JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
onsemi
10 324
En stock
1 : 0,70000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,26787 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA1.8 V @ 100 µA6pF à 5V-400 mW150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SOT-23 SERIES
CMPF4393 TR PBFREE
JFET N-CH 40V 50MA SOT23
Central Semiconductor Corp
12 970
En stock
1 : 1,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,46804 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF à 20V100 Ohms350 mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
onsemi
21 233
En stock
1 : 0,54000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
Central Semiconductor Corp
4 514
En stock
1 : 3,14000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF à 20V100 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-206AA, TO-18-3 boîtier métalliqueTO-18
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UnitedSiC
1 546
En stock
1 : 28,73000 €
Tube
-
Tube
ActifCanal N1200 V1200 V-63 A-2145pF à 100V45 mOhms429 W-55°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-247-3TO-247-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
12 802
En stock
12 000
Factory
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,12207 €
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
ActifCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
9 603
En stock
1 : 0,44000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,12652 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
ActifCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
Toshiba Semiconductor and Storage
7 040
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15211 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
Toshiba Semiconductor and Storage
7 392
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15211 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF à 10V-100 mW125°C (TJ)Montage en surfaceSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
onsemi
15 102
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,15212 €
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
ActifCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
SMMBF4393LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
onsemi
23 988
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19641 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N30 V30 V30 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA14pF à 15V (VGS)100 Ohms225 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
TO-92-3 Formed Leads
J175-D26Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
onsemi
8 624
En stock
124 000
Factory
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,19742 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
ActifCanal P30 V-7 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA-125 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches forméesTO-92-3
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
onsemi
13 656
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24394 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF à 5V-400 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
30 301
En stock
1 : 0,42000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
4 331
En stock
1 : 0,43000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
onsemi
8 517
En stock
1 : 0,47000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
Central Semiconductor Corp
9 363
En stock
1 : 3,08000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF à 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-206AA, TO-18-3 boîtier métalliqueTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
Central Semiconductor Corp
2 053
En stock
1 : 5,35000 €
En vrac
-
En vrac
ActifCanal N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF à 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Trou traversantTO-206AA, TO-18-3 boîtier métalliqueTO-18
UF3N170400B7S
UF3N170400B7S
JFET 1700V SIC
UnitedSiC
2 629
En stock
1 : 9,29000 €
Bande coupée (CT)
800 : 6,05113 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N1.7 V1.7 V2.2 µA @ 1.7 V6.8 A-225pF à 100V500 mOhms68 W-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surfaceTO-263-8, D²Pak (7 broches + languette), TO-263CAD2PAK-7
UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S
650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UnitedSiC
3 506
En stock
1 : 8,57000 €
Tube
-
Tube
ActifCanal N650 V650 V-32 A-630pF à 100V95 mOhms190 W-55°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-247-3TO-247-3
UJ3N120070K3S
UJ3N120070K3S
1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UnitedSiC
4 326
En stock
1 : 15,63000 €
Tube
-
Tube
ActifCanal N1200 V1200 V-33.5 A-985pF à 100V90 mOhms254 W-55°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UnitedSiC
618
En stock
1 : 20,07000 €
Tube
-
Tube
ActifCanal N650 V650 V-85 A-2360pF à 100V33 mOhms441 W-55°C ~ 175°C (TJ)Trou traversantTO-247-3TO-247-3
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E-ON
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
onsemi
4 248 000
Marketplace
15 000 : 0,01961 €
En vrac
*
En vrac
Actif-------------
TRANSISTOR
FJZ594JCTF
TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor
1 271 060
Marketplace
15 000 : 0,01961 €
En vrac
-
En vrac
ObsolèteCanal N20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF à 5V-100 mW150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-623FSOT-623F
Affichage de
sur 940

Transistors - JFET

Les transistors à effet de champ à jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs à commande électronique, amplificateurs ou résistances commandées en tension. La différence potentielle d'une polarité correcte appliquée entre les bornes de grille et de source augmente la résistance du flux de courant, ce qui signifie que le courant circulant dans le canal entre les bornes de source et de drain est réduit. Les transistors JFET n'ont pas besoin de courant de polarisation grâce à la charge circulant dans le canal semi-conducteur entre les bornes de source et de drain.