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Série
Conditionnement
Product Status
Type d'IGBT
Configuration
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Puissance - Max.
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
Entrée
Thermistance CTN
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
IGBT TRANS 3000V 38A
MMIX4B22N300
IGBT TRANS 3000V 38A
IXYS
0
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1 : 116,36000 €
Tube
Tube
Actif-pont complet3000 V38 A150 W2,7V à 15V, 22A35 µA2.2 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 24-SMD, 9 sorties24-SMPD
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
MMIX4B20N300
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
IXYS
10
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1 : 100,28000 €
Tube
Tube
Actif-pont complet3000 V34 A150 W3,2V à 15V, 20A--StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 24-SMD, 9 sorties24-SMPD
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
MMIX4G20N250
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
IXYS
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1 : 79,92000 €
Tube
-
Tube
Actif-Demi- pont2500 V23 A100 W3,1V à 15V, 20A10 µA1.19 nF @ 15 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 24-SMD, 9 sorties24-SMPD
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXA20PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXYS
0
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200 : 10,34180 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
ActifPTDemi- pont1200 V32 A130 W2,1V à 15V, 15A125 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
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200 : 11,86265 €
Bande et bobine
Bande et bobine
ActifPTDemi- pont1200 V63 A230 W2,15V à 15V, 35A150 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXA20PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXYS
0
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20 : 13,19550 €
En vrac
-
En vrac
ActifPTDemi- pont1200 V32 A130 W2,1V à 15V, 15A125 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXA30PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXYS
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200 : 13,39225 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
ActifPTDemi- pont1200 V43 A150 W2,2V à 15V, 25A2.1 mA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
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20 : 13,53150 €
En vrac
En vrac
ActifPTDemi- pont1200 V63 A230 W2,15V à 15V, 35A150 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
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20 : 15,10050 €
En vrac
-
En vrac
ActifPTDemi- pont1200 V63 A230 W2,15V à 15V, 35A150 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
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200 : 15,27300 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
ActifPTDemi- pont1200 V63 A230 W2,15V à 15V, 35A150 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXA30PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXYS
0
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20 : 15,96000 €
En vrac
-
En vrac
ActifPTDemi- pont1200 V43 A150 W2,2V à 15V, 25A2.1 mA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 9-SMDISOPLUS-SMPD™.B
i4-Pac-5
FII40-06D
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
IXYS
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Obsolète
-
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ObsolèteNPTDemi- pont600 V40 A125 W2,2V à 15V, 25A600 µA1.6 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversanti4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N17AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
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Actif
-
Boîte
ActifNPTDemi- pont1700 V18 A140 W6V à 15V, 16A100 µA2.4 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversanti4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N17AH1S
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
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Actif
-
Boîte
ActifNPTDemi- pont1700 V18 A140 W6V à 15V, 16A100 µA2.4 nF @ 25 VStandardNon-Trou traversanti4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
FII30-06D
IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
IXYS
0
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Obsolète
-
Tube
ObsolèteNPTDemi- pont600 V30 A100 W2,4V à 15V, 20A600 µA1.1 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversanti4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
FII30-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IXYS
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Obsolète
-
Tube
ObsolèteNPTDemi- pont1200 V33 A150 W2,9V à 15V, 20A200 µA1.2 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversanti4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
FII50-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IXYS
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Obsolète
-
Tube
ObsolèteNPTDemi- pont1200 V50 A200 W2,6V à 15V, 30A400 µA2 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversanti4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N170AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
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Obsolète
-
Tube
ObsolèteNPTDemi- pont1700 V18 A140 W6V à 15V, 16A100 µA2.4 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversanti4-Pac™-4, isoléISOPLUS i4-PAC™
Affichage de
sur 18

Transistors - IGBT - Matrices


Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes, à commutation rapide et haut rendement principalement utilisés comme commutateurs électroniques. Ils sont utilisés dans les alimentations à découpage dans les applications haute puissance, telles que les variateurs de fréquence (VFD), les voitures électriques, les trains, les ballasts d'éclairage, les climatiseurs et les amplificateurs de commutation (systèmes audio et systèmes de contrôle industriel). Les matrices IGBT incluent plusieurs dispositifs dans un seul boîtier, dans des configurations en demi-pont ou en pont complet.