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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SOT 26
ZXMP6A17E6QTA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes Incorporated
0
En stock
1 : 0,80000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,30976 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal PMOSFET (oxyde métallique)60 V2,3 A (Ta)4,5V, 10V125mOhms à 2,3A, 10V3V à 250µA17.7 nC @ 10 V±20V637 pF @ 30 V-1,1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-26SOT-23-6
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
onsemi
0
En stock
1 : 7,16000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 3,77924 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)40 V53 A (Ta), 378 A (Tc)10V0,7mOhms à 50A, 10V4V à 250µA128 nC @ 10 V±20V8400 pF @ 25 V-3,9W (Ta), 200W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surface5-DFN (5x6) (8-SOFL)8-PowerTDFN, 5 sorties
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Transistors - FET, MOSFET - Simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.