Transistors - FET, MOSFET - Simples

Résultats : 41 373
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBartels Mikrotechnik GmbHCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale Semiconductor
Série
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Conditionnement
-Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBarrette de connexionBobineBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
Product Status
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptionsPréliminaire
Type de FET
-Canal NCanal P
Technologies
-GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)SiCFET (carbure de silicium)SiCFET (cascode SiCJFET)
Tension drain-source (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,4 mOhms à 50A, 10V0,4mOhms à 150A, 10V0,4mOhms à 30A, 10V0,42mOhms à 50A, 10V0,45mOhms à 30A, 10V0,45mOhms à 50A, 10V0,45mOhms à 60A, 4,5V0,47mOhms à 20A, 10V0,48 mOhms à 50A, 10V0,52mOhms à 20A, 10V0,52mOhms à 30A, 10V0,52mOhms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
400mV à 1mA (min)400mV à 250µA (min)450mV à 100µA (min)450mV à 1mA (min)450mV à 250µA (min)450mV à 2mA (min)500mV à 250µA (min)570mV à 1mA (typ.)600mV à 1,2mA (min)600mV à 1mA (min)600mV à 1mA (typ.)600mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5 pF @ 25 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Fonction FET
-Diode Schottky (isolée)Diode Schottky (substrat)Diode de détection de températureDétection de courantMode de déplétionStandardSuper Junction
Dissipation de puissance (max.)
1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier fournisseur
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Boîtier
2-PowerTSFN3-DFN plot exposé3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, broches plates3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variable3-SMD, broches plates3-SMD, broches plates3-SMD, non standard
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Options environnementales
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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Product Status
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
70 582
En stock
1 : 1,14000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,48314 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)15 V3,4 A (Ta)5V30mOhms à 1,5A, 5V2,5V à 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
266 549
En stock
1 : 1,31000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,55863 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohms à 50mA, 5V2,5V à 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
226 098
En stock
1 : 1,31000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,55863 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhms à 100mA, 5V2,5V à 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
295 360
En stock
1 : 1,31000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,55863 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhms à 1A, 5V2,5V à 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
146 449
En stock
1 : 1,62000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,75001 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhms à 11A, 5V2,5V à 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
47 367
En stock
1 : 2,20000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,01472 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V6 A (Ta)5V30mOhms à 6A, 5V2,5V à 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceDimensions de la matrice (5 barres de soudure)MATRICE
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
27 022
En stock
1 : 2,20000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,01472 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V4 A (Ta)5V160mOhms à 500mA, 5V2,5V à 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
10 454
En stock
1 : 1,81000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,95982 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V3 A (Ta)5V43mOhms à 1A, 5V2,5V à 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34 308
En stock
1 : 2,58000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,19119 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V16 A (Ta)5V7mOhms à 16A, 5V2,5V à 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
23 437
En stock
1 : 2,58000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,19119 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V29 A (Ta)5V6mOhms à 16A, 5V2,5V à 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
9 778
En stock
1 : 2,61000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,20589 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhms à 15A, 5V2,5V à 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
40 510
En stock
1 : 2,83000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,30884 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V5 A (Ta)5V100mOhms à 3A, 5V2,5V à 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceDimensions de la matrice (4 barres de soudure)MATRICE
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
51 890
En stock
1 : 2,99000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,38236 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V18 A (Ta)5V17mOhms à 11A, 5V2,5V à 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceDimensions de la matrice (6 barres de soudure)MATRICE
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
190 802
En stock
1 : 3,06000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,41178 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhms à 11A, 5V2,5V à 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
16 502
En stock
1 : 3,31000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,70590 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V14 A (Ta)5V22mOhms à 14A, 5V2,5V à 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC8009
GANFET N-CH 65V 4A DIE
EPC
14 161
En stock
1 : 3,40000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,75002 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)65 V4 A (Ta)5V130mOhms à 500mA, 5V2,5V à 250µA0.45 nC @ 5 V+6V, -4V52 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
63 673
En stock
1 : 3,77000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,99296 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V8,5 A (Ta)5V42mohms à 7A, 5V2,5V à 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
30 330
En stock
1 : 4,66000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,39708 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V48 A (Ta)5V3,8mOhms à 25A, 5V2,5V à 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
21 568
En stock
1 : 4,75000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,44120 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)40 V53 A (Ta)5V4mOhms à 33A, 5V2,5V à 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
67 962
En stock
1 : 4,66000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 2,46100 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V60 A (Ta)5V3,2mOhms à 25A, 5V2,5V à 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
124 878
En stock
1 : 4,83000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,48532 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)100 V36 A (Ta)5V7mOhms à 25A, 5V2,5V à 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceDimensions de la matrice (11 barres de soudure)MATRICE
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
31 380
En stock
1 : 6,31000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 3,25003 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V32 A (Ta)5V8mOhms à 20A, 5V2,5V à 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
8 399
En stock
1 : 6,75000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 3,47062 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)200 V22 A (Ta)5V25mOhms à 12A, 5V2,5V à 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceDimensions de la matrice (7 barres de soudure)MATRICE
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
106 002
En stock
1 : 6,28000 €
Bande coupée (CT)
500 : 3,93846 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V90 A (Ta)5V2,2mOhms à 29A, 5V2,5V à 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2029
GANFET N-CH 80V 48A DIE
EPC
23 997
En stock
1 : 6,57000 €
Bande coupée (CT)
500 : 4,27924 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NGaNFET (nitrure de gallium)80 V48 A (Ta)5V3,2mOhms à 30A, 5V2,5V à 12mA13 nC @ 5 V+6V, -4V1410 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
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Transistors - FET, MOSFET - Simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.