Affichage de
sur 21
Comparer
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Product Status
Type de transistor
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
Puissance - Max.
Fréquence - Transition
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
8-SOIC
SSM2212RZ-R7
TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
5 084
En stock
1 : 8,14000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 4,83827 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifPaire de 2 NPN (doubles)20mA40V200mV à 100µA, 1mA500pA--200MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
16-LFCSP-WQ
SSM2212CPZ-R7
TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP
Analog Devices Inc.
964
En stock
1 : 7,68000 €
Bande coupée (CT)
1 500 : 4,83827 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 NPN (double)20mA40V--300 à 1mA, 15V-200MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface16-WFQFN plot exposé, CSP16-LFCSP (3x3)
8-SOIC
SSM2212RZ
TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
7 806
En stock
1 : 8,14000 €
Tube
-
Tube
ActifPaire de 2 NPN (doubles)20mA40V200mV à 100µA, 1mA500pA--200MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
14-SOIC
MAT14ARZ-R7
TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
Analog Devices Inc.
0
En stock
1 : 11,41000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 7,69124 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifPaires de 4 NPN (quadruples)30mA40V60mV à 100µA, 1mA3nA--300MHz-40°C ~ 85°C (TA)Montage en surface14-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)14-SOIC
14-SOIC
MAT14ARZ
TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
Analog Devices Inc.
0
En stock
1 : 11,41000 €
Tube
-
Tube
ActifPaires de 4 NPN (quadruples)30mA40V60mV à 100µA, 1mA3nA--300MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface14-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)14-SOIC
8-SOIC
SSM2212RZ-RL
TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
0
En stock
2 500 : 4,83828 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
ActifPaire de 2 NPN (doubles)20mA40V200mV à 100µA, 1mA500pA--200MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
16-LFCSP-WQ
SSM2212CPZ-RL
TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP
Analog Devices Inc.
0
En stock
5 000 : 4,83827 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Actif2 NPN (double)20mA40V--300 à 1mA, 15V-200MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface16-WFQFN plot exposé, CSP16-LFCSP (3x3)
14-SOIC
MAT14ARZ-RL
TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
Analog Devices Inc.
0
En stock
2 500 : 7,69124 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
ActifPaires de 4 NPN (quadruples)30mA40V60mV à 100µA, 1mA3nA--300MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface14-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)14-SOIC
TO-78-6
MAT01GH
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
48
Marketplace
17 : 17,53941 €
En vrac
-
En vrac
Tube
ActifPaire de 2 NPN (doubles)25mA45V800mV à 1mA, 10mA400nA-500mW450MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT01AH
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
238
Marketplace
11 : 26,71455 €
En vrac
-
En vrac
En vrac
ActifPaire de 2 NPN (doubles)25mA45V800mV à 1mA, 10mA300nA-500mW450MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT03EH
TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
En vrac
Tube
Obsolète2 PNP (double)20mA36V100mV à 100µA, 1mA--500mW190MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT03FH
TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
Tube
Obsolète2 PNP (double)20mA36V100mV à 100µA, 1mA--500mW190MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
8-SOIC
SSM2220S
TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
Tube
ObsolètePaire de 2 PNP (doubles)20mA36V100mV à 100µA, 1mA---190MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
505~N-8~N~8 Top View
SSM2220PZ
TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
Tube
ObsolètePaire de 2 PNP (doubles)20mA36V100mV à 100µA, 1mA---190MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Trou traversant8-DIP (0,300po, 7,62mm)8-PDIP
8-SOIC
SSM2220SZ
TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
Tube
ObsolètePaire de 2 PNP (doubles)20mA36V100mV à 100µA, 1mA-80 à 1mA, 36V---65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
TO-78-6
MAT03EHZ
TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
En vrac
Tube
Obsolète2 PNP (double)20mA36V100mV à 100µA, 1mA--500mW190MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT03FHZ
TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
Tube
Obsolète2 PNP (double)20mA36V100mV à 100µA, 1mA--500mW190MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT01GHZ
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Actif
-
En vrac
En vrac
ActifPaire de 2 NPN (doubles)25mA45V800mV à 1mA, 10mA400nA-500mW450MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT01AHZ
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Actif
-
En vrac
Plateau
ActifPaire de 2 NPN (doubles)25mA45V800mV à 1mA, 10mA300nA-500mW450MHz-55°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
TO-78-6
MAT12AHZ
TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6
Analog Devices Inc.
0
En stock
Actif
-
Boîte
ActifPaire de 2 NPN (doubles)20mA40V200mV à 100µA, 1mA500pA--200MHz-65°C ~ 150°C (TJ)Trou traversantTO-78-6, boîtier métalliqueTO-78-6
8-SOIC
SSM2220SZ-REEL
TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC
Analog Devices Inc.
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ObsolètePaire de 2 PNP (doubles)20mA36V100mV à 100µA, 1mA-80 à 1mA, 36V---65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
Affichage de
sur 21

Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices


Les matrices de transistors bipolaires intègrent deux transistors discrets ou plus dans un même boîtier, sous forme d'entités électriquement séparées ou avec des interconnexions quelconques entre eux à l'intérieur du boîtier du dispositif. Pour les matrices dans lesquelles les dispositifs contenus présentent des caractéristiques très proches ou complémentaires, le boîtier partagé permet de réduire les différences de température entre les dispositifs lors du fonctionnement.