Matrices de FET, MOSFET

Résultats : 479
Série
-*CC, CoolSiC™CoolSiC™CoolSiC™+EasyDUAL™EasyPACK™EasyPACK™ CoolSiC™EasyPACK™, CoolSiC™FASTIRFET™FETKY™HEXFET®HybridPACK™
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBoîteDigi-Reel®En vracPlateauTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Technologies
-Carbure de silicium (SiC)MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)2 canaux N (double)2 canaux N (double), schottky2 canaux N, drain commun2 canaux P (double)2 canaux N2 indépendantes2 à canal N (double), asymétriques4 Canal N4 canaux N (pont complet)6 canaux N (pont complet)6 canaux N (pont triphasé)-Canal N et P, complémentaire
Fonction FET
-Carbure de silicium (SiC)Porte de niveau logiquePorte de niveau logique, attaque 1,8VPorte de niveau logique, attaque 2,5VPorte de niveau logique, attaque 4,5VStandard
Tension drain-source (Vdss)
12V20V25V30V40V50V55V55V, 30V60V80V100V150V200V1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
300mA390mA880mA950mA950mA, 530mA1,4 A, 1,5 A1,5A1,7A2A2,1 A, 1,5 A2,1A2,2A
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,13mohms à 500A, 15V2,27mohms à 400A, 18V2,75mohms à 27A, 10V2,83mohms à 375A, 15V3mohms à 20A, 10V3mohms à 30A, 10V3,1mohms à 30A, 10V3,2mohms à 20A, 10V3,2mohms à 30A, 10V3,4mohms à 25A, 10V3,7mohms à 400A, 15V3,9mohms à 27A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
700mV à 250µA (min)700mV à 250µA750mV à 1,6µA750mV à 11µA900mV à 250µA1V à 11µA1V à 250µA (min)1V à 250µA1,1V à 10µA1,1V à 35µA1,2V à 1,5µA1,2V à 1,6µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0,26nC à 2,5V0,32nC à 4,5V0,34nC à 4,5V0,6nC à 10V0,6nC à 5V0,62nC à 4,5V0,73nC à 4,5V0,8nC à 5V1,5nC à 10V1,6nC à 5V1,7nC à 2,5V2,1nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
20pF à 25V47pF à 10V56pF à 15V63pF à 10V78pF à 10V94pF à 15V120pF à 25V143pF à 10V160pF à 25V180pF à 25V190pF à 15V210pF à 25V
Puissance - Max.
20mW250mW500mW700mW (Ta), 860mW (Ta)960mW1W1,2W1,25W1,3W1,4W1,4W, 2W1,5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)-40°C ~ 175°C-
Qualification
AEC-Q100AEC-Q101
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier
6-FlipFet™6-PowerVDFN6-VDFN plot exposé6-VSSOP, SC-88, SOT-3638-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)9-PowerWDFN14-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
Boîtier fournisseur
6-FlipFet™6-PQFN (2x2)6-PQFN double (2x2)6-TSOP8-PQFN (3,3x3,3), Power338-PQFN (5x6)8-PQFN-Dual (3,3x3,3)8-SO8-SOIC8-TSSOP14-SOIC16-FlipFet™
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
479Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer

Affichage de
sur 479
Comparer
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Configuration
Fonction FET
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
158 659
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08885 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique20V880mA400mohms à 880mA, 2,5V750mV à 1,6µA0,26nC à 2,5V78pF à 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
114 708
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07502 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V300mA3ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA0,6nC à 10V20pF à 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
IRF9389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Infineon Technologies
14 231
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,18791 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique30V6,8 A, 4,6 A27mohms à 6,8A, 10V2,3V à 10µA14nC à 10V398pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
SC-74, SOT-457
BSL308PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Infineon Technologies
13 163
En stock
1 : 0,62000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23560 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique, attaque 4,5V30V2A80mohms à 2A, 10V1V à 11µA5nC à 10V500pF à 15V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceSOT-23-6 mince, TSOT-23-6PG-TSOP6-6
SC-74, SOT-457
BSL308CH6327XTSA1
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Infineon Technologies
23 395
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23968 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canal N et P, complémentairePorte de niveau logique, attaque 4,5V30V2,3 A, 2 A57mohms à 2,3A, 10V2V à 11µA1,5nC à 10V275pF à 15V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceSOT-23-6 mince, TSOT-23-6PG-TSOP6-6
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Infineon Technologies
112 019
En stock
1 : 0,73000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,27691 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique30V2,7 A, 2 A110mohms à 1,7A, 10V1V à 250µA12nC à 10V210pF à 25V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)Micro8™
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
IRF8313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Infineon Technologies
38 663
En stock
1 : 0,76000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,28809 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V9,7A15,5mohms à 9,7A, 10V2,35V à 25µA9nC à 4,5V760pF à 15V2W-55°C ~ 175°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
IRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Infineon Technologies
21 967
En stock
1 : 0,77000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,31603 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et P-30V4A, 3A50mohms à 2,4A, 10V1V à 250µA25nC à 4,5V520pF à 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Infineon Technologies
7 960
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,32170 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-20V5,4A30mohms à 5,4A, 4,5V1,2V à 250µA26nC à 4,5V1310pF à 15V1,3W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)Micro8™
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
IRL6372TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Infineon Technologies
13 964
En stock
1 : 0,82000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,34085 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V8,1A17,9mohms à 8,1A, 4,5V1,1V à 10µA11nC à 4,5V1020pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
IRF9362TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Infineon Technologies
28 999
En stock
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,34426 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V8A21mohms à 8A, 10V2,4V à 25µA39nC à 10V1300pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
IRF7316TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
17 485
En stock
1 : 0,91000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,37878 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V4,9A58mohms à 4,9A, 10V1V à 250µA34nC à 10V710pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
FDMS3622S
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
26 901
En stock
1 : 0,97000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,38331 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique55V20A65mohms à 15A, 10V2V à 14µA12nC à 10V410pF à 25V43W-55°C ~ 175°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
17 767
En stock
1 : 1,00000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,39267 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V20A26mohms à 17A, 10V2,2V à 10µA20nC à 10V1430pF à 25V33W-55°C ~ 175°C (TJ)--Montage en surface8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-10
IPG20N06S2L65AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
13 998
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,39735 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique55V20A65mohms à 15A, 10V2V à 14µA12nC à 10V410pF à 25V43W-55°C ~ 175°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface, joints de brasure visibles8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
IRF7904TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Infineon Technologies
4 573
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,42087 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (demi-pont)Porte de niveau logique30V7,6 A, 11 A16,2mohms à 7,6A, 10V2,25V à 25µA11nC à 4,5V910pF à 15V1,4W, 2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Infineon Technologies
14 550
En stock
1 : 1,03000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,42640 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et P-55V4,7 A, 3,4 A50mohms à 4,7A, 10V1V à 250µA36nC à 10V740pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
IRF7380TRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Infineon Technologies
6 024
En stock
1 : 1,03000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,42591 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique80V3,6A73mohms à 2,2A, 10V4V à 250µA23nC à 10V660pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
IRF7907TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Infineon Technologies
9 472
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,43612 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V9,1 A, 11 A16,4mohms à 9,1A, 10V2,35V à 25µA10nC à 4,5V850pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
29 095
En stock
1 : 1,08000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,44796 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V8A15mohms à 9,3A, 10V2V à 250µA17nC à 10V1300pF à 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)PG-DSO-8
19 580
En stock
1 : 1,09000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,45057 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et P-30V-29mohms à 5,8A, 10V1V à 250µA33nC à 10V650pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
PG-TDSON-8-4
IPG16N10S461ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Infineon Technologies
14 617
En stock
1 : 1,11000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,43635 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-100V16A61mohms à 16A, 10V3,5V à 9µA7nC à 10V490pF à 25V29W-55°C ~ 175°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
IPG20N04S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
9 333
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,43923 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique40V20A11,6mohms à 17A, 10V2,2V à 15µA26nC à 10V1990pF à 25V41W-55°C ~ 175°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
IRF9358TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
15 562
En stock
1 : 1,22000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,50252 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V9,2A16,3mohms à 9,2A, 10V2,4V à 25µA38nC à 10V1740pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
25 177
En stock
1 : 1,31000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,54045 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique12V9,2A17mohms à 9,2A, 4,5V900mV à 250µA57nC à 4,5V3450pF à 10V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
Affichage de
sur 479

Matrices de FET, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.