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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Product Status
Technologies
Configuration
Fonction FET
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
6-VDFN
IRLHS6376TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Infineon Technologies
164 225
En stock
1 : 0,70000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,27103 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V3,6A63mOhms à 3,4A, 4,5V1,1V à 10µA2,8nC à 4,5V270pF à 25V1,5W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface6-VDFN plot exposé6-PQFN (2x2)
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Infineon Technologies
118 473
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,27485 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V2,4A135mOhms à 1,7A, 10V1V à 250µA12nC à 10V210pF à 25V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
Infineon Technologies
122 942
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,30109 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique20V2,4 A, 1,7 A140mOhms à 1,7A, 4,5V700mV à 250µA8nC à 4,5V260pF à 15V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Infineon Technologies
162 582
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,33481 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique30V2,7 A, 2 A110mOhms à 1,7A, 10V1V à 250µA12nC à 10V210pF à 25V1,25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)Micro8™
8-SOIC
IRF8313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Infineon Technologies
5 898
En stock
1 : 0,90000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,34833 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V9,7A15,5mOhms à 9,7A, 10V2,35V à 25µA9nC à 4,5V760pF à 15V2W-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Infineon Technologies
64 184
En stock
1 : 0,90000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,38515 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et P-30V4A, 3A50mOhms à 2,4A, 10V1V à 250µA25nC à 4,5V520pF à 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Infineon Technologies
11 774
En stock
1 : 0,92000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,39206 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-20V5,4A30mOhms à 5,4A, 4,5V1,2V à 250µA26nC à 4,5V1310pF à 15V1,3W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-TSSOP, 8-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur)Micro8™
8-SOIC
IRF7103TRPBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Infineon Technologies
6 813
En stock
1 : 0,97000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,39255 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-50V3A130mOhms à 3A, 10V3V à 250µA30nC à 10V290pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7314TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Infineon Technologies
21 534
En stock
1 : 0,90000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,39728 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique20V5,3A58mOhms à 2,9A, 4,5V700mV à 250µA29nC à 4,5V780pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
FDMS3622S
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Infineon Technologies
4 995
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,40791 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique55V20A65mOhms à 15A, 10V2V à 14µA12nC à 10V410pF à 25V43W-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surface8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
8-SOIC
IRF9362TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Infineon Technologies
113
En stock
1 : 0,99000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,41955 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V8A21mOhms à 8A, 10V2,4V à 25µA39nC à 10V1300pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7316TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
45 109
En stock
1 : 1,04000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,46163 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V4,9A58mOhms à 4,9A, 10V1V à 250µA34nC à 10V710pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Infineon Technologies
36 635
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,47683 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique30V-29mOhms à 5,8A, 10V1V à 250µA33nC à 10V650pF à 25V2,5W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
27 288
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,49664 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V2,6A150mOhms à 2,6A, 4,5V2V à 20µA20nC à 10V380pF à 25V2W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)PG-DSO-8
8-SOIC
IRF7317TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Infineon Technologies
1 250
En stock
1 : 1,18000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,50171 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique20V6,6 A, 5,3 A29mOhms à 6A, 4,5V700mV à 250µA27nC à 4,5V900pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Infineon Technologies
39 755
En stock
1 : 1,16000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,51246 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et P-55V4,7 A, 3,4 A50mOhms à 4,7A, 10V1V à 250µA36nC à 10V740pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7319TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Infineon Technologies
18 209
En stock
1 : 1,25000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,53012 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et P-30V-29mOhms à 5,8A, 10V1V à 250µA33nC à 10V650pF à 25V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
30 000
En stock
1 : 1,29000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,54594 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V8A15mOhms à 9,3A, 10V2V à 250µA17nC à 10V1300pF à 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)PG-DSO-8
18 122
En stock
1 : 1,31000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,55074 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique100V20A35mOhms à 17A, 10V2,1V à 16µA17,4nC à 10V1105pF à 25V43W-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surface8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TISON-8
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Infineon Technologies
80 784
En stock
1 : 1,35000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,56781 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 à canal N (double), asymétriquesPorte de niveau logique, attaque 4,5V30V17 A, 32 A5mOhms à 20A, 10V2V à 250µA10nC à 4,5V1160pF à 15V1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-PowerTDFNPG-TISON-8
8-SOIC
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Infineon Technologies
57 797
En stock
1 : 1,55000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,65866 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique12V9,2A17mOhms à 9,2A, 4,5V900mV à 250µA57nC à 4,5V3450pF à 10V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
8-SOIC
IRF7324TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Infineon Technologies
21 152
En stock
1 : 1,61000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,76886 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique20V9A18mOhms à 9A, 4,5V1V à 250µA63nC à 5V2940pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
PG-TISON-8
BSC0921NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Infineon Technologies
24 970
En stock
1 : 1,82000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,80212 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 à canal N (double), asymétriquesPorte de niveau logique, attaque 4,5V30V17 A, 31 A5mOhms à 20A, 10V2V à 250µA8,9nC à 4,5V1025pF à 15V1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-PowerTDFNPG-TISON-8
9 764
En stock
1 : 1,70000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,87742 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V20 A (Tc)11,2mOhms à 17A, 10V2,2V à 28µA53nC à 10V4020pF à 25V65W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surface, joints de brasure visibles8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
7 380
En stock
1 : 1,87000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,89561 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-55V5,1A50mOhms à 5,1A, 10V1V à 250µA (min)44nC à 10V780pF à 25V2,4W-55°C ~ 175°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
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Matrices de FET, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.