8Gb Mémoire

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Programmable DigiKey	Type de mémoire	Format mémoire	Technologies	Taille mémoire	Organisation de la mémoire	Interface mémoire	Fréquence d'horloge	Temps de cycle d'écriture - Mot, page	Temps d'accès	Tension - Alimentation	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.	2 335 En stock	1 : 5,93000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 4,82141 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND	8Gb	1G x 8	Parallèle	-	-	-	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	63-VFBGA	63-VFBGA (9x11)
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc.	996 En stock	1 : 5,93000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 4,82141 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND	8Gb	1G x 8	Parallèle	-	-	-	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	48-TFSOP (0,724po, 18,40mm de largeur)	48-TSOP I
MT29F8G08ABACAWP-IT:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc.	1 000 En stock	1 : 6,10000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND	8Gb	1G x 8	Parallèle	-	-	-	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	48-TFSOP (0,724po, 18,40mm de largeur)	48-TSOP I
MT40A512M16TD-062E AAT:R IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	388 En stock	1 : 9,89000 € En vrac	-	En vrac	Actif	-	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR4	8Gb	512M x 16	Parallèle	1.6 GHz	15ns	19 ns	1,14V ~ 1,26V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (7,5x13)
MT29F8G08ADADAH4-IT:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.	606 En stock	1 : 10,94000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND	8Gb	1G x 8	Parallèle	-	-	-	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	63-VFBGA	63-VFBGA (9x11)
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR IC FLASH 8GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA Micron Technology Inc.	1 908 En stock	1 : 11,22000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 8,84500 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	8Gb	8G x 1	SPI	83 MHz	-	-	1,7V ~ 1,95V	-40°C ~ 105°C (TA)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	24-TBGA	24-T-PBGA (6x8)
MT40A512M16TD-062E AUT:R IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	196 En stock	1 : 11,31000 € En vrac	-	En vrac	Actif	-	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR4	8Gb	512M x 16	Parallèle	1.6 GHz	15ns	19 ns	1,14V ~ 1,26V	-40°C ~ 125°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (7,5x13)
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F IC FLASH 8GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA Micron Technology Inc.	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 11,55000 € Plateau	-	Plateau	Actif	-	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	8Gb	8G x 1	SPI	-	-	7 ns	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 105°C (TA)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	24-TBGA	24-T-PBGA (6x8)
AS5F18G04SND-10LIN IC FLASH 8GBIT SPI/QUAD 8LGA Alliance Memory, Inc.	369 En stock	1 : 12,28000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	8Gb	1G x 8	SPI - E/S quadruple	100 MHz	700µs	-	1,7V ~ 1,98V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	8-WLGA	8-LGA (8x6)
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.	1 149 En stock	1 : 12,79000 € Plateau	-	Plateau	Date de dernière disponibilité	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	8Gb	512M x 16	-	2.133 GHz	-	-	1,1V	-40°C ~ 95°C (TC)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	200-WFBGA	200-WFBGA (10x14,5)
MT41K512M16VRP-107 IT:P IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.	600 En stock	1 : 17,33000 € En vrac	TwinDie™	En vrac	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	933 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT41K512M16VRP-107 AAT:P TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	2 461 En stock	1 : 17,41000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 13,67717 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	933 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 105°C (TC)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT41K512M16VRP-107 AAT:P IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	608 En stock	1 : 17,90000 € Boîte	-	Boîte	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	933 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 105°C (TC)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
IS43TR16512BL-125KBL IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	326 En stock	1 : 19,25000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	800 MHz	-	20 ns	1,283V ~ 1,45V	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-TWBGA (10x14)
NSEC53K008-IT IC FLASH 8GBIT EMMC 153FBGA Insignis Technology Corporation	562 En stock	1 : 22,00000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND (MLC)	8Gb	1G x 8	eMMC	200 MHz	-	-	3,3V	-40°C ~ 85°C	-	-	Montage en surface	153-VFBGA	153-FBGA (11,5x13)
IS43TR16512BL-125KBLI IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	2 268 En stock	1 : 22,10000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	800 MHz	-	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-TWBGA (10x14)
MT41K512M16HA-125:ATR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.	2 581 En stock	1 : 23,21000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 18,19917 € Bande et bobine	TwinDie™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	800 MHz	15ns	13.75 ns	1,283V ~ 1,45V	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (9x14)
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.	2 052 En stock	1 : 23,87000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	800 MHz	15ns	13.75 ns	1,283V ~ 1,45V	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (9x14)
IS43TR16512BL-107MBLI IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	138 En stock	1 : 24,02000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	933 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-TWBGA (10x14)
AS4C256M32MD4-062BAN IC DRAM 8GBIT LVSTL 200FBGA Alliance Memory, Inc.	1 373 En stock	1 : 24,93000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - Mobile LPDDR4	8Gb	256M x 32	LVSTL	1.6 GHz	18ns	3.5 ns	1,06V ~ 1,17V, 1,7V ~ 1,95V	-40°C ~ 105°C (TC)	-	-	Montage en surface	200-TFBGA	200-FBGA (10x14,5)
AS4C512M16D3LB-12BCN IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.	180 En stock	1 : 26,07000 € Plateau	-	Plateau	Pas pour les nouvelles conceptions	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	800 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (13,5x9)
IS43TR81024BL-125KBLI IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	612 En stock	1 : 26,35000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	1G x 8	Parallèle	800 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	78-TFBGA	78-TWBGA (10x14)
AS4C512M16D3LA-10BIN IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA Alliance Memory, Inc.	2 094 En stock	1 : 29,30000 € Plateau	-	Plateau	Pas pour les nouvelles conceptions	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	933 MHz	-	20 ns	1,275V ~ 1,425V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (13,5x9)
AS4C512M16D3LB-12BIN IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.	292 En stock	1 : 29,30000 € Plateau	-	Plateau	Pas pour les nouvelles conceptions	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb	512M x 16	Parallèle	800 MHz	15ns	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (13,5x9)
MT29F8G08ABACAH4-IT:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.	573 En stock	1 : 6,10000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND	8Gb	1G x 8	Parallèle	-	-	-	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	63-VFBGA	63-VFBGA (9x11)

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La mémoire est un dispositif à semi-conducteurs utilisé en tant que dispositif de stockage de données sur un circuit intégré. Ces dispositifs sont disponibles en plusieurs formats : CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM et SRAM en versions volatile et non volatile. La taille mémoire de ces dispositifs s'étend de 64 octets à 6 To avec des interfaces I2C, MMC, parallèle, eMMC, série, à un fil (Single Wire), SPI, UFS, Bus Xccela et 1-Wire.

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