Mémoire

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Programmable DigiKey	Type de mémoire	Format mémoire	Technologies	Taille mémoire	Organisation de la mémoire	Interface mémoire	Fréquence d'horloge	Temps de cycle d'écriture - Mot, page	Temps d'accès	Tension - Alimentation	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
93LC56BT-I/OT IC EEPROM 2KBIT MIC WIRE SOT23-6 Microchip Technology	81 797 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,25777 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Vérifié	Non volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb	128 x 16	Microwire	2 MHz	6ms	-	2,5V ~ 5,5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-23-6
24LC32AT-I/OT IC EEPROM 32KBIT I2C SOT23-5 Microchip Technology	28 140 En stock	1 : 0,42000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,40262 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Non volatile	EEPROM	EEPROM	32Kb	4K x 8	I2C	400 kHz	5ms	900 ns	2,5V ~ 5,5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
AT27C010-70JU IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC Microchip Technology	758 En stock	1 : 3,38000 € Tube	-	Tube	Actif	Non vérifié	Non volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Mo	128K x 8	Parallèle	-	-	70 ns	4,5V ~ 5,5V	-40°C ~ 85°C (TC)	Montage en surface	32-LCC (Sortie en J)	32-PLCC (13,97x11,43)
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc.	493 En stock	1 : 3,40000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH - NAND	2Gb	256M x 8	Parallèle	-	-	-	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	48-TFSOP (0,724po, 18,40mm de largeur)	48-TSOP I
AT27C010-70PU IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP Microchip Technology	89 029 En stock	1 : 4,54000 € Tube	-	Tube	Actif	Vérifié	Non volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Mo	128K x 8	Parallèle	-	-	70 ns	4,5V ~ 5,5V	-40°C ~ 85°C (TC)	Trou traversant	32-DIP (0,600po, 15,24mm)	32-PDIP
MT41K256M16TW-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	2 955 En stock	1 : 5,02000 € Boîte	-	Boîte	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gb	256M x 16	Parallèle	933 MHz	-	20 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA Micron Technology Inc.	715 En stock	1 : 11,56000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 9,09841 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - LPDDR mobile	2Gb	128M x 16	Parallèle	208 MHz	14,4ns	5 ns	1,7V ~ 1,95V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	60-VFBGA	60-VFBGA (8x9)
AT25640B-SSHL-T IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC Microchip Technology	3 975 En stock	1 : 0,58000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,54010 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Non volatile	EEPROM	EEPROM	64Kb	8K x 8	SPI	20 MHz	5ms	-	1,8V ~ 5,5V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	8-SOIC
SST39VF3201C-70-4I-B3KE IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Microchip Technology	5 132 En stock	1 : 3,10000 € Plateau	SST39 MPF™	Plateau	Actif	Non vérifié	Non volatile	FLASH	FLASH	32Mb	2M x 16	Parallèle	-	10µs	70 ns	2,7V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	48-TFBGA	48-TFBGA (6x8)
MT41K128M16JT-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 224 : 4,05635 € En vrac	-	En vrac	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	2Gb	128M x 16	Parallèle	800 MHz	-	13.75 ns	1,283V ~ 1,45V	-40°C ~ 95°C (TC)	Montage en surface	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT47H64M16NF-25E IT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.	7 En stock	1 : 4,62000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 3,24809 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR2	1Gb	64M x 16	Parallèle	400 MHz	15ns	400 ps	1,7V ~ 1,9V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	84-TFBGA	84-FBGA (8x12,5)
IS42S16800F-7TLI IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	0 En stock	Obsolète	-	Plateau	Obsolète	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	128Mb	8M x 16	Parallèle	143 MHz	-	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II

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La mémoire est un dispositif à semi-conducteurs utilisé en tant que dispositif de stockage de données sur un circuit intégré. Ces dispositifs sont disponibles en plusieurs formats : CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM et SRAM en versions volatile et non volatile. La taille mémoire de ces dispositifs s'étend de 64 octets à 6 To avec des interfaces I2C, MMC, parallèle, eMMC, série, à un fil (Single Wire), SPI, UFS, Bus Xccela et 1-Wire.