54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur) Mémoire

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Programmable DigiKey	Type de mémoire	Format mémoire	Technologies	Taille mémoire	Organisation de la mémoire	Interface mémoire	Fréquence d'horloge	Temps de cycle d'écriture - Mot, page	Temps d'accès	Tension - Alimentation	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
W9864G6KH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	643 En stock	1 : 1,44000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mo	4M x 16	Parallèle	166 MHz	-	5 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II Winbond Electronics	767 En stock	1 : 1,61000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	128Mb	8M x 16	LVTTL	166 MHz	-	5 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
W9825G6KH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	844 En stock	1 : 1,96000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	166 MHz	-	5 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
W9825G6KH-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	1 085 En stock	1 : 2,04000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 1,62774 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	200 MHz	-	5 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	1 184 En stock	1 : 2,47000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 1,75876 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	166 MHz	-	5 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	2 606 En stock	1 : 2,74000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mo	4M x 16	Parallèle	166 MHz	-	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C8M16SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	3 215 En stock	1 : 2,83000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	128Mb	8M x 16	Parallèle	166 MHz	12ns	5 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
IS42S16160J-7TLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	4 592 En stock	1 : 3,19000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	143 MHz	-	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C16M16SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	25 444 En stock	1 : 3,39000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	166 MHz	12ns	5 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C16M16SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	18 467 En stock	1 : 3,74000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	143 MHz	14ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	3 699 En stock	1 : 4,29000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 3,31689 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC16M16A2P-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	37 En stock	1 : 4,29000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
IS42S83200J-7TLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	208 En stock	1 : 4,54000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	32M x 8	Parallèle	143 MHz	-	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	3 271 En stock	1 : 4,72000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 3,64620 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC16M16A2P-6A IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	669 En stock	1 : 4,72000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb	16M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC4M16A2P-6A:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	420 En stock	1 : 5,19000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 3,61880 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mo	4M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	1 106 En stock	1 : 5,51000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 4,24658 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	128Mb	8M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MT48LC4M16A2P-6A IT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.	2 410 En stock	1 : 5,70000 € Bande coupée (CT) 2 000 : 3,98784 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mo	4M x 16	Parallèle	167 MHz	12ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
IS42S16320F-7TL IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	345 En stock	1 : 10,96000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb	32M x 16	Parallèle	143 MHz	-	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
IS42S16320F-7TLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	1 134 En stock	1 : 12,01000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb	32M x 16	Parallèle	143 MHz	-	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C32M16SB-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	377 En stock	1 : 12,69000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb	32M x 16	Parallèle	143 MHz	14ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C32M16SB-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	1 897 En stock	1 : 12,78000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 10,04174 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb	32M x 16	Parallèle	143 MHz	14ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
AS4C32M16SB-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	1 005 En stock	1 : 14,93000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb	32M x 16	Parallèle	143 MHz	14ns	5.4 ns	3V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
CY7C1061G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Infineon Technologies	1 044 En stock	1 : 37,78000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Volatile	SRAM	SRAM - asynchrone	16Mb	1M x 16	Parallèle	-	10ns	10 ns	2,2V ~ 3,6V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP II
MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.	166 En stock	1 : 39,26000 € Plateau	-	Plateau	Actif	Non vérifié	Non volatile	RAM	MRAM (mémoire vive magnétorésistive)	16Mb	1M x 16	Parallèle	-	35ns	35 ns	3V ~ 3,6V	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	Montage en surface	54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur)	54-TSOP2

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La mémoire est un dispositif à semi-conducteurs utilisé en tant que dispositif de stockage de données sur un circuit intégré. Ces dispositifs sont disponibles en plusieurs formats : CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM et SRAM en versions volatile et non volatile. La taille mémoire de ces dispositifs s'étend de 64 octets à 6 To avec des interfaces I2C, MMC, parallèle, eMMC, série, à un fil (Single Wire), SPI, UFS, Bus Xccela et 1-Wire.

54-TSOP (0,400po, 10,16mm de largeur) Mémoire

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