FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
132 490
En stock
1 : 0,21000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03306 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
89 431
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04376 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
190mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 190mA, 10V
1,8V à 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
124 082
En stock
1 : 0,30000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05543 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1,5 A (Ta)
2,5V, 4,5V
140mohms à 1,5A, 4,5V
1,2V à 3,7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
24 407
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07108 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,5 A (Ta)
4,5V, 10V
140mohms à 1,5A, 10V
2V à 6,3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
18 689
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07877 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,3 A (Ta)
4,5V, 10V
57mohms à 2,3A, 10V
2V à 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
249 877
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08709 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2 A (Ta)
4,5V, 10V
80mohms à 2A, 10V
2V à 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-TDSON-8-5
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Infineon Technologies
6 263
En stock
1 : 0,51000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,25507 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
39 A (Ta), 58 A (Tc)
4,5V, 10V
5mohms à 30A, 10V
2V à 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 12 V
-
2,5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
75 970
En stock
1 : 0,54000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16678 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,7 A (Ta)
1,8V, 2,5V
23mohms à 3,7A, 2,5V
750mV à 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SC59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
19 608
En stock
1 : 0,61000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16046 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
4,5 A (Ta)
4,5V, 10V
60mohms à 4,5A, 10V
2,3V à 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
34 331
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,33158 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
4,5V, 10V
5,9mohms à 50A, 10V
2,3V à 250µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 20 V
-
3W (Ta), 38W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
36 749
En stock
1 : 0,72000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,19500 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
6mohms à 20A, 10V
2V à 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 12 V
-
2,1W (Ta), 26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Infineon Technologies
6 169
En stock
1 : 0,77000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,37340 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
14,9 A (Ta), 78,6 A (Tc)
6V, 10V
8,4mohms à 50A, 10V
3,1V à 105µA
58 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-11
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Infineon Technologies
75 513
En stock
1 : 0,79000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,22704 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
40 A (Tc)
4,5V, 10V
9mohms à 30A, 10V
2,2V à 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PG-TDSON-8-5
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
23 196
En stock
1 : 0,79000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,23412 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
13 A (Ta), 49 A (Tc)
4,5V, 10V
9,3mohms à 40A, 10V
2V à 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
27 639
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,22124 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
12mohms à 20A, 10V
3,1V à 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
5 444
En stock
1 : 0,90000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,26159 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
16 A (Ta), 73 A (Tc)
4,5V, 10V
5,9mohms à 50A, 10V
2V à 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
4 922
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,26743 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
9,7mohms à 20A, 10V
2V à 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
75 352
En stock
1 : 0,99000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,27910 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
7 A (Ta), 23 A (Tc)
6V, 10V
34mohms à 12A, 10V
3,5V à 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2,5W (Ta), 32W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5 630
En stock
1 : 1,00000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,27469 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
18 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
4mohms à 30A, 10V
2V à 250µA
11 nC @ 4.5 V
±20V
1463 pF @ 15 V
Diode Schottky (substrat)
2,1W (Ta), 37W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
7 758
En stock
1 : 1,06000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,30827 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
80 A (Tc)
4,5V, 10V
3,29mohms à 40A, 10V
2V à 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5 629
En stock
1 : 1,06000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,29017 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
8,6mohms à 20A, 10V
3,1V à 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
20 573
En stock
1 : 1,08000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,28935 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
60 A (Tc)
4,5V, 10V
4,02mohms à 30A, 10V
2V à 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-11
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
20 975
En stock
1 : 1,10000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,28327 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
9mohms à 30A, 10V
2,2V à 13µA
20 nC @ 10 V
±16V
1520 pF @ 15 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
8 PowerTDFN
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
20 585
En stock
1 : 1,10000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,34477 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
19 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
3,4mohms à 20A, 10V
2V à 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
17 778
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,34290 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
6,5 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
26,5mohms à 20A, 10V
2,4V à 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
Affichage de
sur 1 651

FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.