FET, MOSFET simples

Résultats : 3
Fabricant
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
Série
-HEXFET®TrenchMOS™
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineDigi-Reel®
Type de FET
Canal NCanal P
Tension drain-source (Vdss)
30 V50 V60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200mA (Ta)360mA (Ta)3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V5V10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
98mOhms à 3A, 10V1,6Ohms à 300mA, 10V3,5Ohms à 200mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 1mA1,5V à 250µA2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.8 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V510 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
225mW (Ta)350mW (Ta), 1,14W (Tc)1,25W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier fournisseur
Micro3™/SOT-23SOT-23-3 (TO-236)TO-236AB
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
924 081
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03824 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohms à 300mA, 10V1,5V à 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
101 002
En stock
1 : 0,47000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12681 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal PMOSFET (oxyde métallique)30 V3 A (Ta)4,5V, 10V98mOhms à 3A, 10V2,5V à 250µA14 nC @ 10 V±20V510 pF @ 25 V-1,25W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceMicro3™/SOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
0
En stock
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1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04258 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)50 V200mA (Ta)5V3,5Ohms à 200mA, 5V1,5V à 1mA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.