FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
DMG1012UW-7 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Diodes Incorporated	402 015 En stock 1 065 000 Usine	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04279 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	1 A (Ta)	1,8V, 4,5V	450mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN3404L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Diodes Incorporated	281 249 En stock 1 008 000 Usine	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06224 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	5,8 A (Ta)	3V, 10V	28mohms à 5,8A, 10V	2V à 250µA	9.2 nC @ 10 V	±20V	386 pF @ 15 V	-	720mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZF020P01TL MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3 Rohm Semiconductor	7 792 En stock	1 : 0,65000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,17619 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	12 V	2 A (Ta)	1,5V, 4,5V	105mohms à 2A, 4,5V	1V à 1mA	6.5 nC @ 4.5 V	±10V	770 pF @ 6 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TUMT3	3-SMD, broches plates

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Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.