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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Product Status
Type d'IGBT
Configuration
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Puissance - Max.
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
Entrée
Thermistance CTN
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
IXDN75N120
IXDN75N120
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
IXYS
415
En stock
1 : 35,19000 €
Tube
-
Tube
ActifNPTSimple1200 V150 A660 W2,7V à 15V, 75A4 mA5.5 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
781
En stock
1 : 46,66000 €
Tube
Tube
ActifÀ tranchées à champ limitéSimple1200 V281 A1087 W2,05V à 15V, 100A100 µA9.35 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W
Infineon Technologies
0
En stock
1 : 148,04000 €
Plateau
-
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéSimple1200 V400 A2400 W2,1V à 15V, 400A5 mA28 nF @ 25 VStandardOui-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
Infineon Technologies
88
En stock
1 : 249,18000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéSimple1700 V1200 A3350 W2,3V à 15V, 600A1 mA49 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 150°CMontage sur châssisModuleModule
IGBT MODULE C SERIES
FF400R12KE3HOSA1
IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Infineon Technologies
40
En stock
1 : 253,75000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéDemi- pont1200 V580 A2000 W2,15V à 15V, 400A5 mA28 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 125°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
FS820R08A6P2BHybridPACK
FS820R08A6P2BBPSA1
IGBT MODULE PACK DRV HYBRIDD-1
Infineon Technologies
35
En stock
1 : 764,71000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéInverseur triphasé750 V450 A714 W1,35V à 15V, 450A1 mA80 nF @ 50 VStandardOui-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleAG-HYBRIDD-2
APT2X60D60J
APT100GT120JU2
IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
Microchip Technology
221
En stock
1 : 37,94000 €
En vrac
-
En vrac
ActifÀ tranchées à champ limitéSimple1200 V140 A480 W2,1V à 15V, 100A5 mA7.2 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisISOTOPSOT-227
APT2X60D60J
APT45GP120JDQ2
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
Microchip Technology
107
En stock
1 : 44,90000 €
Tube
Tube
ActifPTSimple1200 V75 A329 W3,9V à 15V, 45A750 µA4 nF @ 25 VStandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisISOTOPISOTOP®
159
En stock
1 : 60,08000 €
Plateau
-
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéDemi- pont1200 V50 A285 W2,15V à 15V, 50A1 mA2.8 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
38
En stock
1 : 131,69000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéDemi- pont600 V260 A680 W1,9V à 15V, 200A5 mA-StandardNon-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 460A 1600W
Infineon Technologies
39
En stock
1 : 188,32000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limité2 indépendantes1200 V460 A1600 W2,15V à 15V, 300A5 mA19 nF @ 25 VStandardOui-40°C ~ 150°CMontage sur châssisModuleModule
28
En stock
1 : 216,49000 €
Plateau
Plateau
Actif-Demi- pont1700 V-----StandardNon-25°C ~ 85°CTrou traversantModuleModule
30
En stock
1 : 255,04000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéInverseur triphasé650 V200 A600 W1,95V à 15V, 200A1 mA13 nF @ 25 VStandardOui-40°C ~ 150°CMontage sur châssisModuleModule
48
En stock
1 : 214,47000 €
Plateau
-
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéInverseur triphasé1200 V75 A385 W2,15V à 15V, 75A1 mA4.3 nF @ 25 VStandardOui-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
FD450R12KE4PHOSA1
FD450R12KE4PHOSA1
IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1
Infineon Technologies
56
En stock
1 : 224,55000 €
Plateau
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéHacheur simple1200 V450 A-2,15V à 15V, 450A5 mA-StandardNon-40°C ~ 150°CMontage sur châssisModuleAG-62MM-1
34
En stock
1 : 231,20000 €
Plateau
-
Plateau
Pas pour les nouvelles conceptionsNPTSimple1200 V140 A480 W2,15V à 15V, 100A5 mA7.1 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 125°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
94
En stock
1 : 279,18000 €
Plateau
-
Plateau
ActifÀ tranchées à champ limitéInverseur triphasé1200 V150 A750 W2,1V à 15V, 150A1 mA-StandardOui-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
138
En stock
1 : 38,23000 €
En vrac
En vrac
ActifTrenchSimple1200 V139 A658 W2,55V à 15V, 80A100 µA4.4 nF @ 25 VStandardNon-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227
488
En stock
1 : 7,92000 €
Bande coupée (CT)
500 : 5,78808 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif-Inverseur triphasé600 V-9 W1,78V à 15V, 500mA--StandardOui-40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceModule 23-PowerSMD, papillon23-SOP
720
En stock
1 : 7,92000 €
Tube
Tube
Actif-Inverseur triphasé600 V-9 W1,78V à 15V, 500mA--StandardOui-40°C ~ 150°C (TJ)Trou traversant-23-DIP
SOP23
IM240M6Z1BALMA1
IGBT MODULE 600V 8.9W 23SOP
Infineon Technologies
465
En stock
1 : 10,27000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions-Inverseur triphasé600 V-8.9 W2,6V à 15V, 4A40 µA-StandardOui-40°C ~ 125°CMontage en surfaceModule 23-PowerSMD, papillon23-SOP
IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
HGT1N30N60A4D
IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Fairchild Semiconductor
844
Marketplace
17 : 17,87294 €
Tube
-
Tube
Obsolète-Simple600 V96 A255 W2,7V à 15V, 30A250 µA-StandardNon-55°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
2 076
Marketplace
12 : 25,56917 €
Tube
Tube
Obsolète-Demi- pont600 V50 A250 W2,8V à 15V, 50A250 µA2.92 nF @ 30 VStandardNon-40°C ~ 125°C (TJ)Montage sur châssisEPM7EPM7
672
Marketplace
11 : 27,06909 €
En vrac
*
En vrac
Actif--------------
2 912
Marketplace
11 : 29,04909 €
Tube
Tube
Obsolète-Demi- pont600 V75 A310 W2,8V à 15V, 75A250 µA4.515 nF @ 30 VStandardNon-40°C ~ 125°C (TJ)Montage sur châssisEPM7EPM7
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Transistors - IGBT - Modules


Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes principalement utilisés en tant que commutateurs électroniques qui combinent un haut rendement et une commutation rapide. En tant que modules, les IGBT sont configurés en ponts asymétriques, dispositifs de découpage élévateurs, abaisseurs et de freinage, pont complet, onduleurs triphasés et à trois niveaux. Certains présentent des thermistances CTN intégrées pour la surveillance de la température. Les modules IGBT se caractérisent par la puissance maximum, le courant collecteur, la tension de claquage de collecteur-émetteur et la configuration.