Transistors - IGBT - Modules | Distributeur de composants électroniques DigiKey

Affichage de

sur 2 775

Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Product Status	Type d'IGBT	Configuration	Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	Courant - Collecteur (Ic) (max.)	Puissance - Max.	Vce(on) (max.) à Vge, Ic	Courant - Résiduel de collecteur (max.)	Capacité d'entrée (Cies) à Vce	Entrée	Thermistance CTN	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur

IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	415 En stock	1 : 35,19000 € Tube	-	Tube	Actif	NPT	Simple	1200 V	150 A	660 W	2,7V à 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	781 En stock	1 : 46,66000 € Tube	HEXFRED®	Tube	Actif	À tranchées à champ limité	Simple	1200 V	281 A	1087 W	2,05V à 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	0 En stock	1 : 148,04000 € Plateau	-	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Simple	1200 V	400 A	2400 W	2,1V à 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	88 En stock	1 : 249,18000 € Plateau	C	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Simple	1700 V	1200 A	3350 W	2,3V à 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 150°C	Montage sur châssis	Module	Module
FF400R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	40 En stock	1 : 253,75000 € Plateau	C	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Demi- pont	1200 V	580 A	2000 W	2,15V à 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
FS820R08A6P2BBPSA1 IGBT MODULE PACK DRV HYBRIDD-1 Infineon Technologies	35 En stock	1 : 764,71000 € Plateau	HybridPACK™	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Inverseur triphasé	750 V	450 A	714 W	1,35V à 15V, 450A	1 mA	80 nF @ 50 V	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	AG-HYBRIDD-2
APT100GT120JU2 IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227 Microchip Technology	221 En stock	1 : 37,94000 € En vrac	-	En vrac	Actif	À tranchées à champ limité	Simple	1200 V	140 A	480 W	2,1V à 15V, 100A	5 mA	7.2 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	ISOTOP	SOT-227
APT45GP120JDQ2 IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP Microchip Technology	107 En stock	1 : 44,90000 € Tube	POWER MOS 7®	Tube	Actif	PT	Simple	1200 V	75 A	329 W	3,9V à 15V, 45A	750 µA	4 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	ISOTOP	ISOTOP®
FF50R12RT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 50A 285W Infineon Technologies	159 En stock	1 : 60,08000 € Plateau	-	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Demi- pont	1200 V	50 A	285 W	2,15V à 15V, 50A	1 mA	2.8 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	38 En stock	1 : 131,69000 € Plateau	C	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Demi- pont	600 V	260 A	680 W	1,9V à 15V, 200A	5 mA	-	Standard	Non	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
FF300R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 460A 1600W Infineon Technologies	39 En stock	1 : 188,32000 € Plateau	C	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	2 indépendantes	1200 V	460 A	1600 W	2,15V à 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C	Montage sur châssis	Module	Module
2ED300C17SROHSBPSA1 IGBT MODULE 1700V 30A Infineon Technologies	28 En stock	1 : 216,49000 € Plateau	EiceDriver™	Plateau	Actif	-	Demi- pont	1700 V	-	-	-	-	-	Standard	Non	-25°C ~ 85°C	Trou traversant	Module	Module
FS200R07N3E4RBOSA1 IGBT MOD 650V 200A 600W Infineon Technologies	30 En stock	1 : 255,04000 € Plateau	EconoPACK™ 3	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Inverseur triphasé	650 V	200 A	600 W	1,95V à 15V, 200A	1 mA	13 nF @ 25 V	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C	Montage sur châssis	Module	Module
FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT MOD 1200V 75A 385W Infineon Technologies	48 En stock	1 : 214,47000 € Plateau	-	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Inverseur triphasé	1200 V	75 A	385 W	2,15V à 15V, 75A	1 mA	4.3 nF @ 25 V	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
FD450R12KE4PHOSA1 IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1 Infineon Technologies	56 En stock	1 : 224,55000 € Plateau	C	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Hacheur simple	1200 V	450 A	-	2,15V à 15V, 450A	5 mA	-	Standard	Non	-40°C ~ 150°C	Montage sur châssis	Module	AG-62MM-1
FS100R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 140A 480W Infineon Technologies	34 En stock	1 : 231,20000 € Plateau	-	Plateau	Pas pour les nouvelles conceptions	NPT	Simple	1200 V	140 A	480 W	2,15V à 15V, 100A	5 mA	7.1 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
FS150R12KT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 150A 750W Infineon Technologies	94 En stock	1 : 279,18000 € Plateau	-	Plateau	Actif	À tranchées à champ limité	Inverseur triphasé	1200 V	150 A	750 W	2,1V à 15V, 150A	1 mA	-	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	Module	Module
VS-GT80DA120U IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	138 En stock	1 : 38,23000 € En vrac	HEXFRED®	En vrac	Actif	Trench	Simple	1200 V	139 A	658 W	2,55V à 15V, 80A	100 µA	4.4 nF @ 25 V	Standard	Non	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IM241S6S1JAUMA1 CIPOS MICRO Infineon Technologies	488 En stock	1 : 7,92000 € Bande coupée (CT) 500 : 5,78808 € Bande et bobine	IM241, CIPOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	-	Inverseur triphasé	600 V	-	9 W	1,78V à 15V, 500mA	-	-	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 23-PowerSMD, papillon	23-SOP
IM241S6T2BAKMA1 CIPOS MICRO Infineon Technologies	720 En stock	1 : 7,92000 € Tube	IM241, CIPOS™	Tube	Actif	-	Inverseur triphasé	600 V	-	9 W	1,78V à 15V, 500mA	-	-	Standard	Oui	-40°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	-	23-DIP
IM240M6Z1BALMA1 IGBT MODULE 600V 8.9W 23SOP Infineon Technologies	465 En stock	1 : 10,27000 € Tube	IM240-M6, CIPOS™	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	-	Inverseur triphasé	600 V	-	8.9 W	2,6V à 15V, 4A	40 µA	-	Standard	Oui	-40°C ~ 125°C	Montage en surface	Module 23-PowerSMD, papillon	23-SOP
HGT1N30N60A4D IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL Fairchild Semiconductor	844 Marketplace	17 : 17,87294 € Tube	-	Tube	Obsolète	-	Simple	600 V	96 A	255 W	2,7V à 15V, 30A	250 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage sur châssis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FP7G50US60 IGBT Fairchild Semiconductor	2 076 Marketplace	12 : 25,56917 € Tube	Power-SPM™	Tube	Obsolète	-	Demi- pont	600 V	50 A	250 W	2,8V à 15V, 50A	250 µA	2.92 nF @ 30 V	Standard	Non	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montage sur châssis	EPM7	EPM7
FDDF80R12W1H3B52BOMA1 IGBT MODULE Infineon Technologies	672 Marketplace	11 : 27,06909 € En vrac	*	En vrac	Actif	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FP7G75US60 IGBT Fairchild Semiconductor	2 912 Marketplace	11 : 29,04909 € Tube	Power-SPM™	Tube	Obsolète	-	Demi- pont	600 V	75 A	310 W	2,8V à 15V, 75A	250 µA	4.515 nF @ 30 V	Standard	Non	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montage sur châssis	EPM7	EPM7

Affichage de

sur 2 775

Transistors - IGBT - Modules

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes principalement utilisés en tant que commutateurs électroniques qui combinent un haut rendement et une commutation rapide. En tant que modules, les IGBT sont configurés en ponts asymétriques, dispositifs de découpage élévateurs, abaisseurs et de freinage, pont complet, onduleurs triphasés et à trois niveaux. Certains présentent des thermistances CTN intégrées pour la surveillance de la température. Les modules IGBT se caractérisent par la puissance maximum, le courant collecteur, la tension de claquage de collecteur-émetteur et la configuration.

Transistors - IGBT - Modules

Transistors - IGBT - Modules

INFORMATIONS

AIDE

NOUS CONTACTER

NOUS SUIVRE