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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Fonction FET
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
EPC
15 015
En stock
1 : 2,47000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,14121 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifSource commune à 2 canaux N (double)GaNFET (nitrure de gallium)120V3,4A60mOhms à 4A, 5V2,5V à 700µA0,8nC à 5V80pF à 60V--40°C ~ 150°C (TJ)-MATRICEMATRICE
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
1 512
En stock
1 : 9,55000 €
Bande coupée (CT)
500 : 6,21932 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (demi-pont)GaNFET (nitrure de gallium)100V23A6,3mOhms à 20A, 5V2,5V à 5,5mA7nC à 5V800pF à 50V--40°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceMATRICEMATRICE
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
77
En stock
1 : 888,52000 €
Plateau
-
Plateau
Actif2 canaux N (demi-pont)Carbure de silicium (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V à 68mA-35000pF à 10V1 875W-40°C ~ 150°C (TJ)Montage sur châssisModuleModule
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
57 381
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07851 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohms à 100mA, 4,5V1V à 1mA-12pF à 10V300mW150°CMontage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
480 566
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08552 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanaux N et PPorte de niveau logique20V1,34 A, 1,14 A400mOhms à 600mA, 4,5V1V à 250µA0,74nC à 4,5V60,67pF à 16V1,12W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-23-6SOT-26
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
123 026
En stock
1 : 0,49000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,09171 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanaux N et PPorte de niveau logique20V500mA, 330mA630mOhms à 200mA, 5V1V à 1mA1,23nC à 4V46pF à 10V150mW150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-563, SOT-666ES6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
488 412
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09286 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 1,2V50V200mA2,2Ohms à 200mA, 4,5V1V à 1mA-25pF à 10V120mW150°C (TJ)Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
258 837
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09492 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 0,9V50V200mA2,2Ohms à 200mA, 4,5V800mV à 1mA-26pF à 10V120mW150°C (TJ)Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SC-88
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
onsemi
20 502
En stock
1 : 0,47000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10421 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Standard30V250mA1,5Ohms à 10mA, 4V1,5V à 100µA1,3nC à 5V33pF à 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
69 012
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10505 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V300mA3Ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA0,6nC à 10V20pF à 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemi
46 838
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,11728 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanaux N et PPorte de niveau logique20V540mA, 430mA550mOhms à 540mA, 4,5V1V à 250µA2,5nC à 4,5V150pF à 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
217 075
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,11917 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V3,9A70mOhms à 5,3A, 10V3V à 250µA11nC à 10V563pF à 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
135 802
En stock
1 : 0,45000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12691 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique20V880mA400mOhms à 880mA, 2,5V750mV à 1,6µA0,26nC à 2,5V78pF à 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT-563
DMN2004VK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Diodes Incorporated
29 238
En stock
1 : 0,49000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13903 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique20V540mA550mOhms à 540mA, 4,5V1V à 250µA-150pF à 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
17 920
En stock
1 : 0,50000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14376 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 1,8V30V4A84mOhms à 2A, 4,5V1V à 1mA1,8nC à 4,5V129pF à 15V1W150°C (TJ)Montage en surface6-WDFN plot exposé6-UDFN (2x2)
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Diodes Incorporated
131 545
En stock
560 000
Factory
1 : 0,48000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,14773 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanaux N et PPorte de niveau logique30V220mA, 200mA1,5Ohms à 100mA, 4,5V1V à 250µA0,38nC à 4,5V22,6pF à 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-963SOT-963
SOT-563
DMP2004VK-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
Diodes Incorporated
85 846
En stock
1 : 0,52000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14792 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux P (double)Porte de niveau logique20V530mA900mOhms à 430mA, 4,5V1V à 250µA-175pF à 16V400mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
74 460
En stock
1 : 0,54000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15322 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Standard30V4A46mOhms à 2A, 4,5V1V à 1mA4nC à 4,5V310pF à 10V1W150°C (TJ)Montage en surface6-WDFN plot exposé6-µDFN (2x2)
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Diodes Incorporated
237 199
En stock
72 000
Factory
1 : 0,48000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16792 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique20V540mA550mOhms à 540mA, 4,5V1V à 250µA-150pF à 16V225mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
248 594
En stock
1 : 0,48000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17059 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N et canal P, drain communPorte de niveau logique30V6 A, 5,5 A30mOhms à 6A, 10V2,4V à 250µA6,3nC à 10V310pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
8-SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
61 485
En stock
1 : 0,53000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,18658 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanaux N et PPorte de niveau logique30V6,5 A, 4,2 A20mOhms à 7,4A, 10V2V à 250µA9,8nC à 10V501pF à 15V1,2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
Pkg 5880
SI1026X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Vishay Siliconix
229 225
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19546 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V305mA1,4Ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA0,6nC à 4,5V30pF à 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Vishay Siliconix
46 740
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19546 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif2 canaux P (double)Porte de niveau logique60V190mA4Ohms à 500mA, 10V3V à 250µA1,7nC à 15V23pF à 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT1118
PMCPB5530X,115
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Nexperia USA Inc.
52 450
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19600 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanaux N et P-20V4A (Ta), 3,4A (Ta)34mOhms à 3A, 4,5V900mV à 250µA21,7nC à 4,5V660pF à 10V490mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surface6-UFDFN plot exposé6-HUSON (2x2)
3 305
En stock
1 : 0,57000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20257 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal N et P, complémentairePorte de niveau logique, attaque 4,5V20V3,4 A, 2,5 A65mOhms à 3,4A, 4,5V1V à 250µA3,8nC à 4,5V320pF à 10V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montage en surfaceSC-74, SOT-4576-TSOP
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Transistors - FET, MOSFET - Matrices


Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.