Standard, polarité inverse Diodes simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Tension - CC inverse (Vr) (max.)	Courant - Moyen redressé (Io)	Tension - Directe (Vf) (max.) à If	Vitesse	Temps de recouvrement inverse (trr)	Courant - Fuite inverse à Vr	Capacité à Vr, F	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur	Température de fonctionnement - Jonction
VS-85HFR60 DIODE STD REV 600V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	1 496 En stock	1 : 11,81000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	600 V	85A	1.2 V @ 267 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-40HFR60 DIODE STD REV 600V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	242 En stock	1 : 7,67000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	600 V	40A	1.3 V @ 125 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 190°C
VS-85HFR20 DIODE STD REV 200V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	580 En stock	1 : 9,25000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	200 V	85A	1.2 V @ 267 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 200 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-85HFR120 DIODE STD REV 1200V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	145 En stock	1 : 11,93000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1200 V	85A	1.2 V @ 267 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 1200 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
1N2130AR DIODE STANDARD REV 150V 60A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	883 En stock	1 : 12,23000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	150 V	60A	1.1 V @ 60 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-65°C ~ 200°C
VS-25FR120 DIODE STD REV 1200V 25A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	110 En stock	1 : 4,69000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1200 V	25A	1.3 V @ 78 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	12 mA @ 1200 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-65°C ~ 175°C
VS-1N3890R DIODE STD REV 100V 12A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	107 En stock	1 : 5,91000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	100 V	12A	1.4 V @ 12 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	25 µA @ 100 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-65°C ~ 150°C
VS-12FR120 DIODE STD REV 1200V 12A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	406 En stock	1 : 7,46000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1200 V	12A	1.26 V @ 38 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	12 mA @ 1200 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-65°C ~ 175°C
VS-70HFR10 DIODE STD REV 100V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	270 En stock	1 : 7,61000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	100 V	70A	1.35 V @ 220 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	15 mA @ 100 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-70HFR60 DIODE STD REV 600V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	181 En stock	1 : 9,77000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	600 V	70A	1.35 V @ 220 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-40HFR160 DIODE STD REV 1600V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	104 En stock	1 : 9,80000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1600 V	40A	1.5 V @ 125 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	4.5 mA @ 1600 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 160°C
1N3768R DIODE STANDARD REV 1000V 35A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	794 En stock	1 : 10,69000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1000 V	35A	1.2 V @ 35 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-65°C ~ 190°C
1N1190AR DIODE STANDARD REV 600V 40A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	171 En stock	1 : 10,88000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	600 V	40A	1.1 V @ 40 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-65°C ~ 190°C
S85YR DIODE STANDARD REV 1600V 85A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	203 En stock	1 : 15,66000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1600 V	85A	1.1 V @ 85 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 100 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-65°C ~ 150°C
1N3881R DIODE STANDARD REV 200V 6A DO4 Navitas Semiconductor, Inc.	510 En stock	1 : 8,01000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	200 V	6A	1.4 V @ 6 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	200 ns	15 µA @ 50 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-4	-65°C ~ 150°C
1N3889R DIODE STANDARD REV 50V 12A DO4 Navitas Semiconductor, Inc.	144 En stock	1 : 9,95280 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	50 V	12A	1.4 V @ 12 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	200 ns	25 µA @ 50 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-4	-65°C ~ 150°C
1N3893R DIODE STANDARD REV 600V 12A DO4 Navitas Semiconductor, Inc.	844 En stock	1 : 9,96000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	600 V	12A	1.4 V @ 12 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	200 ns	25 µA @ 50 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-4	-65°C ~ 150°C
VS-85HFR80 DIODE STD REV 800V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	278 En stock	1 : 11,17000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	800 V	85A	1.2 V @ 267 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 800 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
FR40MR05 DIODE STANDARD REV 1000V 40A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	151 En stock	1 : 17,23000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1000 V	40A	1 V @ 40 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	500 ns	25 µA @ 100 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-40°C ~ 125°C
JAN1N1614 DIODE STD REV 200V 16A DO203AA Microchip Technology	100 En stock	1 : 46,06000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	200 V	16A	1.3 V @ 30 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 200 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/260	Montage goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-65°C ~ 200°C
1N3289R DIODE STD REV 200V 100A DO205AA Microchip Technology	188 En stock	1 : 80,93000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	200 V	100A	1.55 V @ 310 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 mA @ 200 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AA, DO-8, plot	DO-205AA (DO-8)	-65°C ~ 200°C
JAN1N1184R DIODE STANDARD REV 100V 35A DO5 Microchip Technology	92 En stock	1 : 45,62000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	100 V	35A	1.4 V @ 110 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	-	-	Militaire	MIL-PRF-19500/297	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5 (DO-203AB)	-65°C ~ 175°C
JANTXV1N1204AR DIODE STD REV 400V 12A DO203AA Microchip Technology	174 En stock	1 : 61,92856 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	400 V	12A	1.35 V @ 38 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	5 µA @ 400 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/260	Châssis, montage sur goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-65°C ~ 150°C
VS-70HFR120 DIODE STD REV 1200V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	92 En stock	1 : 7,35000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1200 V	70A	1.35 V @ 220 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	9 mA @ 1200 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-70HFR160 DIODE STD REV 1600V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	91 En stock	1 : 13,71000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1600 V	70A	1.46 V @ 220 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	4.5 mA @ 1600 V	-	-	-	Châssis, montage sur goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 150°C

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Types de diodes de redressement

Diodes de redressement standard

Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

Diodes Schottky (SBD)
Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

Redresseurs à super barrière (SBR)
Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

Diodes avalanche
Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.

Diodes en carbure de silicium (SiC)
Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.

Types de diodes de redressement

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