Montage goujon Diodes simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Tension - CC inverse (Vr) (max.)	Courant - Moyen redressé (Io)	Tension - Directe (Vf) (max.) à If	Vitesse	Temps de recouvrement inverse (trr)	Courant - Fuite inverse à Vr	Capacité à Vr, F	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur	Température de fonctionnement - Jonction
1N6391 DIODE SCHOTTKY 45V 25A DO203AA Microchip Technology	42 En stock	1 : 46,02000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Schottky	45 V	25A	500 mV @ 5 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	-	1.5 mA @ 45 V	2000pF à 5V, 1MHz	-	-	Montage goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-55°C ~ 175°C
VS-80PF80W DIODE STANDARD 800V 80A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	114 En stock	1 : 5,35000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	800 V	80A	1.4 V @ 220 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	-	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-55°C ~ 180°C
JANTX1N3891 DIODE STANDARD 200V 12A DO203AA Microchip Technology	85 En stock	1 : 236,87000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	200 V	12A	1.5 V @ 38 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	200 ns	10 µA @ 200 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/304	Montage goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA	-65°C ~ 175°C
JANTX1N3671A DIODE STANDARD 800V 12A DO203AA Microchip Technology	100 En stock	1 : 42,89000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	800 V	12A	2.3 V @ 240 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	-	5 µA @ 800 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/260	Montage goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA	-65°C ~ 150°C
JAN1N1614 DIODE STD REV 200V 16A DO203AA Microchip Technology	100 En stock	1 : 46,06000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	200 V	16A	1.3 V @ 30 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 200 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/260	Montage goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA (DO-4)	-65°C ~ 200°C
1N2281 DIODE STANDARD 1200V 6A DO5 Microchip Technology	200 En stock	1 : 58,99000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	1200 V	6A	1.19 V @ 90 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	5 µs	10 µA @ 1200 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5 (DO-203AB)	-65°C ~ 200°C
UES806 DIODE STANDARD 400V 50A DO5 Microchip Technology	100 En stock	1 : 60,37000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	400 V	50A	1.25 V @ 50 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	50 ns	70 µA @ 400 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5 (DO-203AB)	-55°C ~ 150°C
1N3289R DIODE STD REV 200V 100A DO205AA Microchip Technology	188 En stock	1 : 80,93000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	200 V	100A	1.55 V @ 310 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 mA @ 200 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AA, DO-8, plot	DO-205AA (DO-8)	-65°C ~ 200°C
JAN1N1184R DIODE STANDARD REV 100V 35A DO5 Microchip Technology	92 En stock	1 : 45,62000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	100 V	35A	1.4 V @ 110 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	-	-	Militaire	MIL-PRF-19500/297	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5 (DO-203AB)	-65°C ~ 175°C
1N4045 DIODE STANDARD 100V 275A DO205AB Microchip Technology	67 En stock	1 : 125,72000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	100 V	275A	1.3 V @ 300 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	15 mA @ 100 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AB, DO-9, plot	DO-205AB (DO-9)	-65°C ~ 190°C
VS-80PFR80W DIODE STD REV 800V 80A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	54 En stock	1 : 6,05000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	800 V	80A	1.4 V @ 220 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	-	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-55°C ~ 180°C
S40KR DIODE STD REV 800V 40A DO203AB Navitas Semiconductor, Inc.	55 En stock	1 : 10,88000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	800 V	40A	1.1 V @ 40 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 100 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 190°C
FR40KR05 DIODE STD REV 800V 40A DO203AB Navitas Semiconductor, Inc.	78 En stock	1 : 17,23000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	800 V	40A	1 V @ 40 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	500 ns	25 µA @ 100 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-40°C ~ 125°C
1N3913 DIODE STANDARD 400V 50A DO203AB Microchip Technology	95 En stock	1 : 38,80000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	400 V	50A	1.4 V @ 50 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	200 ns	15 µA @ 400 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 150°C
R5021010RSZT DIODE STANDARD 1000V 100A TO94 Powerex Inc.	24 En stock	1 : 111,79000 € En vrac	-	En vrac	En fin de cycle chez Digi-Key	Standard	1000 V	100A	-	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	300 ns	45 mA @ 1000 V	-	-	-	Montage goujon	TO-209AC, TO-94-4, plot	TO-94	-40°C ~ 150°C
D121N20BXPSA1 DIODE STANDARD 2000V 230A Infineon Technologies	0 En stock 13 Marketplace	2 : 138,14500 € En vrac	-	En vrac En vrac	Obsolète	Standard	2000 V	230A	-	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	20 mA @ 2000 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AA, DO-8, plot	-	-40°C ~ 180°C
D255N04BXPSA1 DIODE STANDARD 400V 255A Infineon Technologies	0 En stock 2 Marketplace	2 : 141,10500 € En vrac	-	En vrac En vrac	Obsolète	Standard	400 V	255A	-	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	20 mA @ 400 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AA, DO-8, plot	-	-40°C ~ 180°C
VS-50PF40W DIODE STANDARD 400V 50A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	22 En stock	1 : 5,56000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	400 V	50A	1.4 V @ 125 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	-	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-55°C ~ 180°C
1N3210 DIODE STANDARD 200V 15A DO203AB Navitas Semiconductor, Inc.	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 10,24000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	200 V	15A	1.5 V @ 15 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-203AB (DO-5)	-65°C ~ 175°C
JANTX1N1202A DIODE STANDARD 200V 12A DO203AA Microchip Technology	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 55,08000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	200 V	12A	2.3 V @ 240 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	-	5 µA @ 200 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/260	Montage goujon	DO-203AA, DO-4, plot	DO-203AA	-65°C ~ 150°C
JANTX1N1190R DIODE STANDARD REV 600V 35A DO5 Microchip Technology	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 55,62000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	600 V	35A	1.4 V @ 110 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 600 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/297	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-65°C ~ 175°C
1N2288R DIODE STANDARD REV 1000V 40A DO5 Microchip Technology	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 58,99000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard, polarité inverse	1000 V	40A	1.19 V @ 90 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	-	-	-	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5 (DO-203AB)	-65°C ~ 200°C
1N2428 DIODE STANDARD 150V 100A DO205AA Microchip Technology	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 80,92000 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	150 V	100A	1.2 V @ 200 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 150 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AA, DO-8, plot	DO-205AA (DO-8)	-65°C ~ 200°C
JANTX1N1186 DIODE STANDARD 200V 35A DO5 Microchip Technology	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 84,98858 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	200 V	35A	1.4 V @ 110 A	Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 200 V	-	Militaire	MIL-PRF-19500/297	Montage goujon	DO-203AB, DO-5, plot	DO-5	-65°C ~ 175°C
1N411B DIODE STANDARD 50V 100A DO205AA Microchip Technology	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	385 : 1,80644 € En vrac	-	En vrac	Actif	Standard	50 V	100A	1.2 V @ 200 A	Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 50 V	-	-	-	Montage goujon	DO-205AA, DO-8, plot	DO-205AA (DO-8)	-65°C ~ 200°C

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Types de diodes de redressement

Diodes de redressement standard

Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

Diodes Schottky (SBD)
Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

Redresseurs à super barrière (SBR)
Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

Diodes avalanche
Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.

Diodes en carbure de silicium (SiC)
Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.

Types de diodes de redressement

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