Diodes - Redresseurs - Simples

Résultats : 44 443
Fabricant
Adafruit Industries LLCBourns Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorHarris CorporationIllinois CapacitorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSKYOCERA AVX
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Série
-*#456Alliance Plastics, SAmp+™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, eSMP®Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, BAS16Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®1
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Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBarrette de connexionBidonBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
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Statut de la pièce
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
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Type de diode
-AvalancheCarbure de silicium SchottkyFERD (diode de redressement à effet de champ)SchottkySchottky, polarité inverseSiGe (silicium-germanium)StandardStandard, polarité inverseSuper protection
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Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1 V1.1 V1.2 V1.5 V1.7 V2 V3 V4 V5 V6 V8 V
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Courant - Moyen redressé (Io)
1mA10mA (CC)10mA15mA (CC)15mA20mA (CC)20mA30mA (CC)30mA33mA (CC)33mA35mA (CC)35mA
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Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1 mV @ 2 A1 mV @ 3 A26 mV @ 8 A65 mV @ 10 A140 mV @ 10 A140 mV @ 16 A180 mV @ 16 A200 mV @ 30 mA220 mV @ 1 A220 mV @ 10 mA230 mV @ 1 mA
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Vitesse
-Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
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Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns100 ps700 ps800 ps900 ps1 ns1.25 ns1.28 ns1.3 ns1.37 ns1.42 ns
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Courant - Fuite inverse à Vr
5 pA @ 5 V10 pA @ 15 V10 pA @ 20 V15 pA @ 15 V100 pA @ 175 V100 pA @ 25 V500 pA @ 75 V1 nA @ 125 V1 nA @ 15 V1 nA @ 30 V1 nA @ 60 V
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Capacité à Vr, F
0,15pF à 0V, 1MHz0,25pF à 200 mV, 1MHz0,3pF à 0V, 1MHz0,35pF à 0V, 1MHz0,36pF à 0V, 1MHz0,5pF à 0V, 1MHz0,53pF à 1V, 1MHz0,6pF à 0V, 1MHz0,69pF à 200 mV, 1MHz0,8pF à 1V, 1MHz0,9pF à 0V, 1MHz0,9pF à 10V, 1MHz0,9pF à 5V, 1MHz
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Type de montage
-Châssis, montage sur goujonEnfichable sur base à rail DINMontage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage goujonMontage sur châssisMontage à visSoudureTrou traversantÀ pince
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Boîtier
2-LLGA2-SMD2-SMD, fil plat2-SMD, sans plomb2-SMD, sortie en J2-UDFN2-UFDFN2-XDFN2-XFBGA, FCBGA3-FLATLEAD3-MAGN-A-PAK™3-PowerUDFN3-SMD, fil plat
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Boîtier fournisseur
0-DIESALE2-DFN (1x0,6)2-DFN10062-DSN (0,60x0,30)2-DSN (1,4x0,6)2-DSN (1,6x,80)2-DSN (1,6x0,8), (0603)2-DSN (1x0,6), (0402)2-ECSP10082-EFP2-FlipChip2-LGA (7,5x11,5)2-SFP
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Température de fonctionnement - Jonction
-65°C ~ 100°C-65°C ~ 125°C-65°C ~ 150°C-65°C ~ 155°C-65°C ~ 160°C-65°C ~ 170°C-65°C ~ 175°C-65°C ~ 180°C-65°C ~ 190°C-65°C ~ 195°C-65°C ~ 200°C-60°C ~ 125°C-60°C ~ 150°C
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Options de stockage
Supports
Options environnementales
PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Prix
Stock
Fournisseur
Fabricant
Qté min.
Référence DK
Série
Conditionnement
Statut de la pièce
Type de diode
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
Courant - Moyen redressé (Io)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
Vitesse
Temps de recouvrement inverse (trr)
Courant - Fuite inverse à Vr
Capacité à Vr, F
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
Température de fonctionnement - Jonction
2EZ13D5-TP
1N4007-TP
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
0,11000 €
320 102 - Immediate
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
1N4007-TPMSTR-ND
1N4007-TPMSCT-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
ActifStandard1000 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)2 µs5 µA @ 1000 V15pF à 4V, 1MHzTrou traversantDO-204AL, DO-41, AxialDO-41-55°C ~ 150°C
2EZ13D5-TP
1N4004-TP
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
0,11000 €
161 856 - Immediate
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
1N4004-TPMSTR-ND
1N4004-TPMSCT-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
ActifStandard400 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)2 µs5 µA @ 400 V15pF à 4V, 1MHzTrou traversantDO-204AL, DO-41, AxialDO-41-55°C ~ 150°C
SMA (DO-214AC)
S1GTR
DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
0,12000 €
531 348 - Immediate
SMC Diode SolutionsSMC Diode Solutions
1
1655-1504-2-ND
1655-1504-1-ND
1655-1504-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard400 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)2.5 µs5 µA @ 400 V15pF à 4V, 1MHzMontage en surfaceDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-65°C ~ 175°C
SMA (DO-214AC)
S1MTR
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
0,12000 €
459 667 - Immediate
SMC Diode SolutionsSMC Diode Solutions
1
1655-1506-2-ND
1655-1506-1-ND
1655-1506-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard1000 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)2.5 µs5 µA @ 1000 V15pF à 4V, 1MHzMontage en surfaceDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-65°C ~ 175°C
31-MINIMELF
LL4148
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
0,11000 €
51 504 - Immediate
onsemionsemi
1
LL4148FSTR-ND
LL4148FSCT-ND
LL4148FSDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard100 V200mA1 V @ 10 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns25 nA @ 20 V4pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80SOD-80-55°C ~ 175°C
SOD-323
1N4148WSTR
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD323
0,12000 €
755 126 - Immediate
SMC Diode SolutionsSMC Diode Solutions
1
1655-1359-2-ND
1655-1359-1-ND
1655-1359-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard75 V300mA (CC)1 V @ 300 mARécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)4 ns2.5 µA @ 75 V2pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSC-90, SOD-323FSOD-323-65°C ~ 100°C
SOD-882 CST2
CTS520,L3F
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
0,19000 €
239 422 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
CTS520L3FTR-ND
CTS520L3FCT-ND
CTS520L3FDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifSchottky30 V200mA600 mV @ 200 mARécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)-5 µA @ 30 V16pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSOD-882CST2125°C (maxi)
SOD-80C Pkg
PMLL4148L,135
DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
0,13000 €
15 650 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6289-2-ND
1727-6289-1-ND
1727-6289-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard75 V200mA (CC)1 V @ 50 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns25 nA @ 20 V4pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80LLDS; MiniMelf200°C (maxi)
SOD-80C Pkg
PMLL4148L,115
DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
0,13000 €
117 088 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-2967-2-ND
1727-2967-1-ND
1727-2967-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard75 V200mA (CC)1 V @ 50 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns25 nA @ 20 V4pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80LLDS; MiniMelf200°C (maxi)
SOD-123_425
MMSD4148T1G
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
0,15000 €
243 258 - Immediate
onsemionsemi
1
MMSD4148T1GOSTR-ND
MMSD4148T1GOSCT-ND
MMSD4148T1GOSDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard100 V200mA (CC)1 V @ 10 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns5 µA @ 75 V4pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSOD-123SOD-123-55°C ~ 150°C
DO-41
1N4007-G
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
0,19000 €
185 482 - Immediate
Comchip TechnologyComchip Technology
1
641-1312-1-ND
641-1312-3-ND
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
ActifStandard1000 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)-5 µA @ 1000 V15pF à 4V, 1MHzTrou traversantDO-204AL, DO-41, AxialDO-41-55°C ~ 150°C
SC-76A
1SS352,H3F
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
0,17000 €
5 348 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
1SS352H3FTR-ND
1SS352H3FCT-ND
1SS352H3FDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard80 V100mA1.2 V @ 100 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns500 nA @ 80 V3pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSC-76ASC-76-2125°C (maxi)
261-DO-41
1N4007-T
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
0,19000 €
491 925 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
1N4007DITR-ND
1N4007DICT-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Pas pour les nouvelles conceptionsStandard1000 V1A1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)-5 µA @ 1000 V8pF à 4V, 1MHzTrou traversantDO-204AL, DO-41, AxialDO-41-65°C ~ 150°C
261-DO-41
1N4004-T
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
0,19000 €
267 233 - Immediate
150 000 - Factory
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
1N4004DITR-ND
1N4004DICT-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Pas pour les nouvelles conceptionsStandard400 V1A1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)-5 µA @ 400 V15pF à 4V, 1MHzTrou traversantDO-204AL, DO-41, AxialDO-41-65°C ~ 150°C
SC-90_UMD2
1SS355VMTE-17
DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
0,19000 €
497 466 - Immediate
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
1SS355VMTE-17TR-ND
1SS355VMTE-17CT-ND
1SS355VMTE-17DKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard80 V100mA1.2 V @ 100 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns100 nA @ 80 V3pF à 0,5V, 1MHzMontage en surfaceSC-90, SOD-323FUMD2150°C (maxi)
USC
CUS520,H3F
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA
0,19000 €
1 608 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
CUS520H3FTR-ND
CUS520H3FCT-ND
CUS520H3FDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifSchottky30 V200mA280 mV @ 10 mARécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)-5 µA @ 30 V17pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSC-76, SOD-323USC125°C (maxi)
SOD-123
BAV16W-7-F
DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123
0,19000 €
1 307 285 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
BAV16W-FDITR-ND
BAV16W-FDICT-ND
BAV16W-FDIDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard100 V150mA1.25 V @ 150 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns1 µA @ 75 V2pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSOD-123SOD-123-65°C ~ 150°C
SOD-923_514AB
BAS16P2T5G
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923
0,23000 €
900 - Immediate
onsemionsemi
1
BAS16P2T5GOSTR-ND
BAS16P2T5GOSCT-ND
BAS16P2T5GOSDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard100 V200mA (CC)1.25 V @ 150 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse6 ns100 µA @ 100 V2pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSOD-923SOD-923-55°C ~ 150°C
0603 (1608 Metric)
CDSU101A
DIODE GEN PURP 80V 100MA 0603
0,28000 €
1 123 739 - Immediate
Comchip TechnologyComchip Technology
1
641-1002-2-ND
641-1002-1-ND
641-1002-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard80 V100mA1 V @ 100 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns50 nA @ 75 V3pF à 0,5V, 1MHzMontage en surface2-SMD, sans plomb0603/SOD-523F125°C (maxi)
SOD-123FL
DSS16UTR
SCHOTTKY 60V SOD-123FL
0,20000 €
179 504 - Immediate
SMC Diode SolutionsSMC Diode Solutions
1
1655-1929-2-ND
1655-1929-1-ND
1655-1929-6-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifSchottky60 V1A670 mV @ 1 ARécupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)-100 µA @ 60 V110pF à 4V, 1MHzMontage en surfaceSOD-123FSOD-123FL-55°C ~ 150°C
SOD-123_425
MMSD914T1G
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
0,19000 €
14 337 - Immediate
onsemionsemi
1
MMSD914T1GOSTR-ND
MMSD914T1GOSCT-ND
MMSD914T1GOSDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard100 V200mA (CC)1 V @ 10 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns5 µA @ 75 V4pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSOD-123SOD-123-55°C ~ 150°C
SOD-323
BAV16WS-7-F
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
0,20000 €
39 715 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
BAV16WS-FDITR-ND
BAV16WS-FDICT-ND
BAV16WS-FDIDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard75 V150mA1.25 V @ 150 mASignal faible =< 200mA (Io), toute vitesse4 ns1 µA @ 75 V2pF à 0V, 1MHzMontage en surfaceSC-76, SOD-323SOD-323-65°C ~ 150°C
Diodes Rectifiers-single SMA/SMB
S1B-13-F
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
0,24000 €
846 660 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
S1B-FDITR-ND
S1B-FDICT-ND
S1B-FDIDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard100 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)3 µs5 µA @ 100 V10pF à 4V, 1MHzMontage en surfaceDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Diodes Rectifiers-single SMA/SMB
S1A-13-F
DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
0,24000 €
672 791 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
S1A-FDITR-ND
S1A-FDICT-ND
S1A-FDIDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard50 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)3 µs5 µA @ 50 V10pF à 4V, 1MHzMontage en surfaceDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Diodes Rectifiers-single SMA/SMB
S1J-13-F
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
0,24000 €
321 390 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
S1J-FDITR-ND
S1J-FDICT-ND
S1J-FDIDKR-ND
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifStandard600 V1A1.1 V @ 1 ARécupération standard >500ns, > 200mA (Io)3 µs5 µA @ 600 V10pF à 4V, 1MHzMontage en surfaceDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
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