Name: SQJ411EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ411EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.944 EUR
Availability: InStock

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SQJ411EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ411EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ411EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ411EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ411EP-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 60 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,8mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	150 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9100 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SQJ411