Équivalent paramétrique
Similaire

SQD50N04-5M6_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQD50N04-5M6_GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQD50N04-5M6_GE3 |
Description | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 50 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQD50N04-5M6_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4000 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 71W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,6mohms à 20A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQD50N04-5M6_T4GE3 | Vishay Siliconix | 1 093 | SQD50N04-5M6_T4GE3CT-ND | 2,02000 € | Équivalent paramétrique |
| FDD8453LZ | onsemi | 0 | FDD8453LZCT-ND | 1,56000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 0,70531 € | 1 410,62 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,70531 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,84637 € |



