Name: SISS26LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS26LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

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SISS26LDN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISS26LDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS26LDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS26LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS26LDN-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 23,7A (Ta), 81,2A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23,7A (Ta), 81,2A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,3mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1980 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Boîtier	PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base	SISS26