Name: SIRA20BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.076 EUR
Availability: InStock

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SIRA20BDP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIRA20BDP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,58mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9950 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIRA20