Name: SIHG21N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG21N65EF-GE3-ND
Price: 2.57467 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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SIHG21N65EF-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIHG21N65EF-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHG21N65EF-GE3
Description	MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIHG21N65EF-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2322 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	208W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247AC
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SIHG21

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
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