SIA922EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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Vishay Siliconix

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Prix unitaire : 0,63000 €

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SIA922EDJ-T4-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA922EDJ-T4-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA922EDJ-T4-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 4.4A PPAK8X8
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4,4 A (Ta), 4,5 A (Tc) 1,9W (Ta), 7,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,4 A (Ta), 4,5 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	64mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	-
Puissance - Max.	1,9W (Ta), 7,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	PowerPAK® SC-70-6 double
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SC-70-6 double
Numéro de produit de base	SIA922