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SI4952DY-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4952DY-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4952DY-T1-E3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4952DY-T1-E3 |
Description | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 25V 8A 2,8W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 25V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 23mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 18nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 680pF à 13V | |
Puissance - Max. | 2,8W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
France