8-SOIC
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SI4446DY-T1-E3

Numéro de produit Digi-Key
SI4446DY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI4446DY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI4446DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI4446DY-T1-E3
Fournisseur
Description
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Description détaillée
Canal N 40 V 3,9 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Référence client
Fiche technique Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut de la pièce
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
40mOhms à 5,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,6V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
700 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
AttributDescription
Statut RoHSConforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)1 (illimité)
Statut REACHREACH - Non concerné
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Ressources supplémentaires
AttributDescription
Autres noms
SI4446DY-T1-E3CT
SI4446DY-T1-E3TR
SI4446DYT1E3
SI4446DY-T1-E3DKR
Conditionnement standard2 500
Substituts (1)
RéférenceFabricant Quantité disponibleRéf. Digi-KeyPrix unitaire Type de substitution
DMN4034SSS-13Diodes Incorporated5 074DMN4034SSS-13CT-ND0,69000 €Produit similaire