SI4151DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SI4151DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI4151DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI4151DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4151DY-T1-GE3 |
Description | P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 15,2A (Ta), 20,5A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4151DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 7,5mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 87 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±25V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3250 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,45000 € | 1,45 € |
10 | 0,97000 € | 9,70 € |
100 | 0,66840 € | 66,84 € |
500 | 0,52806 € | 264,03 € |
1 000 | 0,48293 € | 482,93 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,42927 € | 1 073,17 € |
5 000 | 0,40390 € | 2 019,50 € |
7 500 | 0,39366 € | 2 952,45 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,45000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,74000 € |