SOT-23-3
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SI2321DS-T1-GE3

Numéro de produit Digi-Key
SI2321DS-T1-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI2321DS-T1-GE3
Fournisseur
Description
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
Description détaillée
Canal P 20 V 2,9 A (Ta) 710mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Référence client
Fiche technique Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut de la pièce
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
57mOhms à 3,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
715 pF @ 6 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
710mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
AttributDescription
Statut RoHSConforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)1 (illimité)
Statut REACHREACH - Non concerné
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
Ressources supplémentaires
AttributDescription
Conditionnement standard3 000
Substituts (2)
RéférenceFabricant Quantité disponibleRéf. Digi-KeyPrix unitaire Type de substitution
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