Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 1.224 EUR
Availability: InStock

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TPW1R104PB,L1XHQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Bande et bobine 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPW1R104PB,L1XHQ
Description	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 120 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montage en surface 8-DSOP Advance
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPW1R104PB,L1XHQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,14mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4560 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DSOP Advance
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	TPW1R104