Name: HN4A51JTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4A51JTE85LFTR-ND
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

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HN4A51JTE85LF
Numéro de produit DigiKey	HN4A51JTE85LFTR-ND - Bande et bobine HN4A51JTE85LFCT-ND - Bande coupée (CT) HN4A51JTE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	HN4A51JTE85LF
Description	TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 2 PNP (double) 120V 100mA 100MHz 300mW Montage en surface SMV
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	2 PNP (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	120V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 1mA, 10mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	200 à 2mA, 6V
Puissance - Max.	300mW
Fréquence - Transition	100MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SC-74A, SOT-753
Boîtier fournisseur	SMV
Numéro de produit de base	HN4A51

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