Name: HN1C01FU-GR,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1C01FU-GRLFTR-ND
Price: 0.276 EUR
Availability: InStock

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HN1C01FU-GR,LF
Numéro de produit DigiKey	HN1C01FU-GRLFTR-ND - Bande et bobine HN1C01FU-GRLFCT-ND - Bande coupée (CT) HN1C01FU-GRLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	HN1C01FU-GR,LF
Description	TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 2 NPN (double) 50V 150mA 80MHz 200mW Montage en surface US6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	HN1C01FU-GR,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	2 NPN (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	150mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	250mV à 10mA, 100mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	200 à 2mA, 6V
Puissance - Max.	200mW
Fréquence - Transition	80MHz
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	US6
Numéro de produit de base	HN1C01

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