Name: STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15648-3-ND
Price: 1.092 EUR
Availability: InStock

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STQ1HNK60R-AP
Numéro de produit DigiKey	497-15648-1-ND - Bande coupée (CT) 497-15648-3-ND - Bande et boîte
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STQ1HNK60R-AP
Description	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STQ1HNK60R-AP Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	SuperMESH™
Conditionnement	Bande coupée (CT) Bande et boîte
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	400mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	156 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base	STQ1HNK60

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