Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 5.34 EUR
Availability: InStock

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STB30N65M2AG
Numéro de produit DigiKey	497-STB30N65M2AGTR-ND - Bande et bobine 497-STB30N65M2AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB30N65M2AG
Description	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 20 A (Tc) 190W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB30N65M2AG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1440 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	STB30