Name: R6009END3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6009END3TL1TR-ND
Price: 3.348 EUR
Availability: InStock

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R6009END3TL1
Numéro de produit DigiKey	846-R6009END3TL1TR-ND - Bande et bobine 846-R6009END3TL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-R6009END3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6009END3TL1
Description	MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	535mohms à 2,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	430 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	94W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	R6009