Name: QS6J11TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS6J11TR-ND
Price: 1.032 EUR
Availability: InStock

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QS6J11TR
Numéro de produit DigiKey	QS6J11TR-ND - Bande et bobine QS6J11CT-ND - Bande coupée (CT) QS6J11DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS6J11TR
Description	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 12V 2A 600mW Montage en surface TSMT6 (SC-95)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	QS6J11TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2A
Rds On (max.) à Id, Vgs	105mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	770pF à 6V
Puissance - Max.	600mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Numéro de produit de base	QS6J11

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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