Name: QH8ME5TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8ME5TCRTR-ND
Price: 1.248 EUR
Availability: InStock

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QH8ME5TCR
Numéro de produit DigiKey	846-QH8ME5TCRTR-ND - Bande et bobine 846-QH8ME5TCRCT-ND - Bande coupée (CT) 846-QH8ME5TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QH8ME5TCR
Description	MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 2 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	202mohms à 2A, 10V, 270mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2,8nC à 10V, 19,7nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	90pF à 50V, 590pF à 50V
Puissance - Max.	1,1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	TSMT8