FP7G75US60

FP7G75US60

2156-FP7G75US60-FS-ND
Fairchild Semiconductor
FP7G75US60
IGBT
IGBT Module Demi- pont 600 V 75 A 310 W Montage sur châssis EPM7
Fiche technique Fiche technique
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Série
Conditionnement
Tube
Statut du produit
Obsolète
Type d'IGBT
-
Configuration
Demi- pont
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
600 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
75 A
Puissance - Max.
310 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
2,8V à 15V, 75A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
250 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
4.515 nF @ 30 V
Entrée
Standard
Thermistance CTN
Non
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
EPM7
Boîtier fournisseur
EPM7
Classifications environnementales et d'exportation
AttributDescription
Statut RoHSConforme à RoHS 3
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Tube
Prix unitaire
1130,88000 €339,68 €