Name: NVB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NVB082N65S3FOSTR-ND
Price: 9.228 EUR
Availability: InStock

NVB082N65S3F
Numéro de produit DigiKey	NVB082N65S3FOSTR-ND - Bande et bobine NVB082N65S3FOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVB082N65S3F
Description	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 40 A (Tc) 313W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® III, FRFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	82mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3410 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	313W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	NVB082