Name: NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS6H850NLTAGOSTR-ND
Price: 1.728 EUR
Availability: InStock

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NTTFS6H850NLTAG
Numéro de produit DigiKey	NTTFS6H850NLTAGOSTR-ND - Bande et bobine NTTFS6H850NLTAGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTTFS6H850NLTAGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS6H850NLTAG
Description	MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 14,8A (Ta), 64A (Tc) 3,9W (Ta), 73W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFS6H850NLTAG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 70µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1450 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,9W (Ta), 73W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14,8A (Ta), 64A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,6mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base NTTFS6