NTHD5904NT1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

NTHD5904NT1G est obsolète et n'est plus fabriqué.

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NTHD5904NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTHD5904NT1GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHD5904NT1G
Description	MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 2,5 A (Ta) 640mW (Ta) Montage en surface ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 3,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	465 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	640mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	ChipFET™
Boîtier	8-SMD, broches plates
Numéro de produit de base	NTHD59